Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (5): 774-779.

Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究

张迪;魏钦华;林佳;秦来顺;唐高;史宏声

中国计量大学材料与化学学院,杭州,310018

出版日期:2020-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11975220,51972291,11575170,11605194)

Growth and Scintillation Properties of Cs4SrI6:Eu Crystal

ZHANG Di;WEI Qinhua;LIN Jia;QIN Laishun;TANG Gao;SHI Hongsheng

Online:2020-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用垂直布里奇曼法成功生长了一种Cs4SrI6:3;Eu闪烁晶体.毛坯晶体尺寸最大为φ25×70 mm3,是目前最大的Cs4SrI6:Eu单晶.XRD结果表明,晶体具有K4-CdCl6晶体结构,属于R-3C空间群,通过紫外-可见荧光光谱和X射线激发发射光谱,研究了晶体的荧光性能.研究了在137Cs662 keV辐射下Cs4SrI6:Eu单晶的闪烁性能和衰减时间,表明该晶体具有较高的光输出和优良的能量分辨率,衰减时间约为1.86μs.通过分析Eu2+在晶体中不同部位的浓度,计算出Cs4SrI6:Eu晶体中Eu2+的分凝系数约为1.136,结果表明Cs4SrI6:Eu晶体在辐射探测中具有潜在的应用前景.

中图分类号:

张迪;魏钦华;林佳;秦来顺;唐高;史宏声. Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 774-779.

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