氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (7): 1157-1161.

氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究

姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000;中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000

出版日期:2020-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61574162,61604169)

Study on Surface Damage Treatment of GaN Seed and Ammonothermal Growth

YAO Jingjing;REN Guoqiang;LI Tengkun;SU Xujun;QIU Yongxin;XU Lei;GAO Xiaodong;XU Ke

Online:2020-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多.为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高.本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了两种籽晶氨热生长后晶体表面、生长速率、结晶质量、应力状况.光学显微镜表明两种籽晶生长后晶体的表面具有相似的丘状表面.氨热法生长速率较慢,化学机械抛光籽晶生长速率略高于粗磨籽晶.X射线单晶衍射(XRD) (002)和(102)的摇摆曲线半高宽显示抛光籽晶与粗磨籽晶生长得到GaN结晶质量基本一致.Raman E2(high)频移表明抛光籽晶生长的GaN晶体接近无应力状态,粗磨籽晶生长的晶体存在较小的压应力.

中图分类号:

姚晶晶;任国强;李腾坤;苏旭军;邱永鑫;许磊;高晓冬;徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161.

YAO Jingjing;REN Guoqiang;LI Tengkun;SU Xujun;QIU Yongxin;XU Lei;GAO Xiaodong;XU Ke. Study on Surface Damage Treatment of GaN Seed and Ammonothermal Growth[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(7): 1157-1161.

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