欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2079-2097.

所属专题: 宽禁带半导体晶体与器件

• • 上一篇    下一篇

AlGaN基深紫外发光二极管研究进展

吴峰;戴江南;陈长清   

  1. 华中科技大学,武汉光电国家研究中心,武汉 430074
  • 出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    (国家自然科学基金)%(上海市自然科学基金)%(中央高校基本科研业务费专项资金)

Research Progress of AlGaN Based Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes

WU Feng;DAI Jiangnan;CHEN Changqing   

  • Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 深紫外光源在杀菌消毒、生化检测、紫外固化、紫外通信等方面具有巨大的应用前景,基于AlGaN半导体的深紫外发光二极管(LED)因具有无毒、体积小、能耗低、寿命长、波长可调等优势,得到了广泛的关注和研究.经过近二十年的研究开发,AlGaN基深紫外LED无论是发光效率和器件寿命都得到了巨大的提升,已逐步开始商业化.然而,相对于GaN基蓝光LED,目前AlGaN基深紫外LED的效率仍旧非常低,还有很大的提升空间.本文首先介绍了深紫外LED的发展现状,并分析了导致器件效率低的原因.然后,分别从内量子效率、光提取效率以及电光转换效率三个方面对目前AlGaN基深紫外LED的研究状况进行了系统的回顾,总结了目前提高发光效率的各种手段和方法.最后对AlGaN基深紫外LED的未来发展进行了展望.

关键词: AlGaN;深紫外LED;内量子效率;光提取效率;电光转换效率

中图分类号: