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人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2098-2121.

所属专题: 宽禁带半导体晶体与器件

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氮化铝纳米结构的生长与物性研究

刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波   

  1. 哈尔滨工业大学物理学院,哈尔滨 150001%哈尔滨工业大学,特种环境复合材料技术国家级重点实验室,哈尔滨 150001
  • 出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51672057,51722205,52072085)

Investigation on the Growth and Physical Properties of AlN Nanostructures

LIU Mengting;HAN Jiecai;WANG Xianjie;SONG Bo   

  • Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 氮化铝(AlN)纳米结构除了具备AlN本身宽带隙、高热导率、高击穿场强和高热稳定性等优异物理性能外,还具备表面效应和小尺寸效应所引起的独特物理和化学性质,因而受到人们的广泛关注.在国内外研究学者多年的不懈努力和研究下,目前已经能够生长结晶质量较高的AlN纳米结构,并在光学、电学和磁学等领域发挥着重要的作用.在本文中,首先探讨了包括化学气相沉积法、物理气相传输法、直流电弧放电法、氢化物气相外延法、分子束外延法等不同AlN纳米结构制备方法的研究进展.随后系统地总结了在不同方法制备过程中,温度、源、气氛、生长时间和催化剂等因素对AlN纳米结构的形貌和结晶质量的影响,并分析了它们的生长机理.最后还详细介绍和讨论了AlN纳米结构的物理性质.

关键词: 氮化铝;纳米结构;制备方法;生长机理;物理性质

中图分类号: