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人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2122-2127.

所属专题: 宽禁带半导体晶体与器件

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新一代SiC功率MOSFET器件研究进展

柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇   

  1. 南京电子器件研究所,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室,南京 210016;国扬电子有限公司,扬州 225100
  • 出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20

Development of New-Generation SiC Power MOSFET

BAI Song;LI Shiyan;FEI Chenxi;LIU Qiang;JIN Xiaoxing;HAO Fengbin;HUANG Runhua;YANG Yong   

  • Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要: 自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFET的RON,SP从8 mΩ·cm2降低到4.8 mΩ·cm2.与此同时,本课题组采用新一代SiC MOSFET设计和工艺技术研制出6.5 kV、10 kV以及15 kV等高压低导通电阻SiC MOSFET,其中10 kV和15 kV器件的比导通电阻分别为144 mΩ·cm2和204 mΩ·cm2,接近单极型SiC器件的理论极限.

关键词: 碳化硅, 功率, 金属-氧化物半导体场效应晶体管, 高压, 比导通电阻

中图分类号: