SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2153-2160.

所属专题：宽禁带半导体晶体与器件

SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展

白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏

上海理工大学材料科学与工程学院,上海 200093;上海电机学院材料学院,上海 201306%中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波 315201%上海电机学院材料学院,上海 201306%上海应用技术大学材料科学与工程学院,上海 201418%上海电机学院材料学院,上海 201306;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波 315201

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市自然科学基金(19ZR1419900)

Progress of Technological Innovation of SnSe Thermoelectric Semiconductor Crystal Growth

BAI Xudong;HU Haoyang;JIANG Jun;LI Rongbin;SHEN Hui;XU Jiayue;JIN Min

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料,近几年已成为国内外研究的热点.为了获得SnSe晶体,目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长.然而该材料因具有独特的层状结构和复杂热膨胀特征,其在晶体生长过程中极易发生解理开裂,导致难以获得大尺寸晶体.为了解决高完整SnSe晶体制备难题,本团队在材料体系相图及热重分析指导下,近年来先后开发出了气相法、水平熔体法以及水平液封法等多种晶体制备技术,均成功获得了较大尺寸的SnSe晶体材料.本论文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等多方面对相关技术创新情况予以介绍,并将它们的优缺点进行了对比.综合评价认为水平液封法在获取高完整SnSe晶体及性能调控方面具有显著优势,未来将逐渐成为一种广受欢迎的技术.

关键词: SnSe晶体, 半导体, 热电, 晶体生长, 技术创新

中图分类号:

O734

白旭东, 胡皓阳, 蒋俊, 李荣斌, 申慧, 徐家跃, 金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160.

BAI Xudong, HU Haoyang, JIANG Jun, LI Rongbin, SHEN Hui, XU Jiayue, JIN Min. Progress of Technological Innovation of SnSe Thermoelectric Semiconductor Crystal Growth[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2153-2160.

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Progress of Technological Innovation of SnSe Thermoelectric Semiconductor Crystal Growth

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