MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2139-2152.

所属专题：宽禁带半导体晶体与器件

MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展

王艳丰;王宏兴

西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安 710049;西安交通大学电子与信息学部,宽禁带半导体与量子器件研究所,西安 710049

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家自然科学基金)%(博士后科学基金)%东莞市创新创业领军人才引进计划

Research Progress of MPCVD Single Crystal Diamond Growth and Diamond Electronic Devices

WANG Yanfeng;WANG Hongxing

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望.详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理.研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导.分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积.在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展.通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展.最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景.

关键词: 金刚石, MPCVD, 横向外延, 拼接生长, 掺杂, 二极管, 场效应晶体管, 探测器

中图分类号:

O78
TN303

王艳丰, 王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152.

WANG Yanfeng, WANG Hongxing. Research Progress of MPCVD Single Crystal Diamond Growth and Diamond Electronic Devices[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2139-2152.

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