高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2194-2199.

高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备

张晋;胡壮壮;穆文祥;田旭升;冯倩;贾志泰;张进成;陶绪堂;郝跃

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100%西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

出版日期:2020-11-15 发布日期:2021-01-20

High Qualityβ-Ga₂O₃ Single Crystal and Fabrication of Schottky Diode

ZHANG Jin;HU Zhuangzhuang;MU Wenxiang;TIAN Xusheng;FENG Qian;JIA Zhitai;ZHANG Jincheng;TAO Xutang;HAO Yue

Online:2020-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga₂O₃)单晶,掺杂浓度为2×10¹⁸ cm^-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm²,展示了优异性能.

关键词: 氧化镓单晶, 导模法, n型掺杂, 肖特基二极管

中图分类号:

TN311.7

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