人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (11): 2178-2193.
• • 上一篇 下一篇
袁紫媛;潘睿;夏顺吉;魏炼;叶佳佳;李晨;陈延峰;芦红
出版日期:
发布日期:
基金资助:
YUAN Ziyuan;PAN Rui;XIA Shunji;WEI Lian;YE Jiajia;LI Chen;CHEN Yanfeng;LU Hong
Online:
Published:
摘要： 硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-x Gex(0 关键词: 分子束外延, Si1-xGex合金, 硅基锗, Ge量子点, 异质外延, 界面调控 中图分类号: TN34 引用本文 袁紫媛, 潘睿, 夏顺吉, 魏炼, 叶佳佳, 李晨, 陈延峰, 芦红. 硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2178-2193. YUAN Ziyuan, PAN Rui, XIA Shunji, WEI Lian, YE Jiajia, LI Chen, CHEN Yanfeng, LU Hong. Epitaxial Growth and Characterizations of Si1－xGex Alloys on Si Substrate[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2178-2193. 使用本文 0 / / 推荐 导出引用管理器 EndNote|Ris|BibTeX 链接本文: http://rgjtxb.jtxb.cn/CN/ http://rgjtxb.jtxb.cn/CN/Y2020/V49/I11/2178
关键词: 分子束外延, Si1-xGex合金, 硅基锗, Ge量子点, 异质外延, 界面调控
中图分类号:
TN34
袁紫媛, 潘睿, 夏顺吉, 魏炼, 叶佳佳, 李晨, 陈延峰, 芦红. 硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2178-2193.
YUAN Ziyuan, PAN Rui, XIA Shunji, WEI Lian, YE Jiajia, LI Chen, CHEN Yanfeng, LU Hong. Epitaxial Growth and Characterizations of Si1－xGex Alloys on Si Substrate[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(11): 2178-2193.
0 / / 推荐
导出引用管理器 EndNote|Ris|BibTeX
链接本文: http://rgjtxb.jtxb.cn/CN/
http://rgjtxb.jtxb.cn/CN/Y2020/V49/I11/2178
E-mail Alert
RSS