多晶硅铸锭生长过程热应力与位错的数值模拟研究

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (5): 894-898.

多晶硅铸锭生长过程热应力与位错的数值模拟研究

王晨东;左然;苏文佳

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

出版日期:2018-05-15 发布日期:2021-01-20

Numerical Simulation Study on Thermal Stress and Dislocation in Silicon Multi-crystal Growth

WANG Chen-dong;ZUO Ran;SU Wen-jia

Online:2018-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过对定向凝固多晶硅从凝固过程开始到冷却过程结束进行瞬态数值模拟,研究了多晶硅锭不同生长阶段的温场、热应力及位错密度的关系.模拟结果表明:在长晶及冷却过程中,位错因热应力的存在而发生运动和增殖,晶体内温度梯度是影响晶体位错密度的关键因素.高位错密度区域分布在硅锭顶部、中心部以及周边外缘.硅锭上表面由中心向外缘递减的高位错密度是由于杂质在固液界面前沿富集导致.其中最大位错密度约为2.4×104 cm-2,发生在硅锭中轴顶部;局部最大位错密度约为2.2×104 cm-2,发生在硅锭边缘底角.

中图分类号:

王晨东;左然;苏文佳. 多晶硅铸锭生长过程热应力与位错的数值模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(5): 894-898.

WANG Chen-dong;ZUO Ran;SU Wen-jia. Numerical Simulation Study on Thermal Stress and Dislocation in Silicon Multi-crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(5): 894-898.

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