基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (12): 2429-2435.

基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法

张晶;潘亚妮;刘丁;牟伟明

西安理工大学,晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心,陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室,西安 710048

出版日期:2018-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(61533014)

Optimization of Cz Silicon Monocrystal Growth Process Parameters Based on Response Surface Method

ZHANG Jing;PAN Ya-ni;LIU Ding;MOU Wei-ming

Online:2018-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在直拉法制备硅单晶的过程中,要得到优质的晶体必须建立合理的温度分布,而单晶炉内热场的分布与工艺参数的设定密切相关.其中以晶体转速、坩埚转速和拉速等三个工艺参数对热场分布的影响尤为显著.为了确定最佳热场分布下晶转、埚转及拉速的设定值,本文采用响应面算法通过方程拟合、回归分析等步骤求解这三个工艺参量与温度梯度之间的最佳函数模型,并在该模型下同时对这三个工艺参量进行优化分析,且通过仿真实验和拉晶实验表明该方法的有效性.

中图分类号:

张晶;潘亚妮;刘丁;牟伟明. 基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(12): 2429-2435.

ZHANG Jing;PAN Ya-ni;LIU Ding;MOU Wei-ming. Optimization of Cz Silicon Monocrystal Growth Process Parameters Based on Response Surface Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2018, 47(12): 2429-2435.

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