人工晶体学报 ›› 2024, Vol. 53 ›› Issue (5): 818-823.
代同光, 谭新, 宋志成, 郭永刚, 袁雅静, 倪玉凤, 汪梁
DAI Tongguang, TAN Xin, SONG Zhicheng, GUO Yonggang, YUAN Yajing, NI Yufeng, WANG Liang
摘要: 目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P+层被腐蚀的风险,导致P+发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能。双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加。本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究,在TOPCon电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜,搭配合适的清洗工艺、去绕镀清洗工艺,既可有效地去除P+层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P+层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏,同时可大幅提升产能。
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