欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 2025年7月24日 星期四 分享到:
残余应力及电场对4H-SiC表面压痕硬度的影响
朱兴杰, 章平, 左敦稳
Effect of Residual Stress and Electric Field on Indentation Hardness of 4H-SiC Surface
ZHU Xingjie, ZHANG Ping, ZUO Dunwen
人工晶体学报 . 2025, (4): 560 -568 .  DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2024.0255