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人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (1): 65-68.

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负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

王万录;廖克俊;方亮;王必本;冯斌   

  1. 重庆大学应用物理系,重庆,400044
  • 出版日期:1999-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

Nucleation of Diamond by Biased Hot Filament Chemical Vapor Deposition

Wang Wanlu;Liao Kejun;Fang Liang;Wang Biben;Feng Bin   

  • Online:1999-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.

关键词: 热灯丝CVD;金刚石薄膜;成电核子发射

中图分类号: