摘要: 本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.
中图分类号:
王万录;廖克俊;方亮;王必本;冯斌. 负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(1): 65-68.
Wang Wanlu;Liao Kejun;Fang Liang;Wang Biben;Feng Bin. Nucleation of Diamond by Biased Hot Filament Chemical Vapor Deposition[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1999, 28(1): 65-68.