m-NBA*DEA和3.5-DNBA*DEA分子晶体形貌的分析

人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (4): 309-314.

m-NBADEA和3.5-DNBADEA分子晶体形貌的分析

黎军;郑吉民;车云霞

南开大学化学系,天津,300071;国家教委光学信息技术科学开放研究实验室,天津,300071

出版日期:1998-04-15 发布日期:2021-01-20

Morphology Analysis of m-NBADEA and 3.5-DNBADEA Molecule Crystals

Li Jun;Zheng Jimin;Che Yunxia

Online:1998-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文应用周期键链理论(Periodic Bond Chain;简称PBC),结合晶体的结构数据,采用文献[1]给出的计算接触能(Eatt)的公式,通过微机对间硝基苯甲酸(m-NBA)和3.5-二硝基苯甲酸(3.5-DNBA)分别与二乙醇胺(DEA)形成超分子化合物(分别简称为m-NBA*DEA和3.5-DNBA*DEA)的晶体形貌及生长习性进行了推断.其结果是:m-NBA*DEA晶体属于F面的单形有{001};属于S面的单形有{011},{101},{110},{100}和{112};其它单形则属地K面.对于3.5-DNBA*DEA晶体,由于在晶体结构中只有一个PBC矢量,故不出现属于F面的单形;而属于S面的单形有{010},{001}和{011};其它单形则属于K面.实验证明,理论推算的形貌与实际晶体的形貌符合得比较好.

中图分类号:

黎军;郑吉民;车云霞. m-NBA*DEA和3.5-DNBA*DEA分子晶体形貌的分析[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(4): 309-314.

Li Jun;Zheng Jimin;Che Yunxia. Morphology Analysis of m-NBA*DEA and 3.5-DNBA*DEA Molecule Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(4): 309-314.

[1]	周玄, 程国峰, 何代华. InSeI单晶的制备及其结构与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2252-2255.
[2]	段欢, 崔瑞瑞, 邓朝勇. Ba₂YAlO₅∶Eu³⁺, Na⁺荧光粉的合成和光致发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2302-2307.
[3]	张汉宏, 叶帅, 张帆. 钙钛矿单晶的合成研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2389-2397.
[4]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[5]	李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉. GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1996-2012.
[6]	蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓. 氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2013-2023.
[7]	任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科. 氮化镓单晶的液相生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2024-2037.
[8]	李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇. AlGaN量子结构及其紫外光源应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2068-2078.
[9]	吴峰;戴江南;陈长清. AlGaN基深紫外发光二极管研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2079-2097.
[10]	刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波. 氮化铝纳米结构的生长与物性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2098-2121.
[11]	柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇. 新一代SiC功率MOSFET器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2122-2127.
[12]	王艳丰;王宏兴. MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2139-2152.
[13]	白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏. SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2153-2160.
[14]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[15]	李一村;舒国阳;刘刚;郝晓斌;赵继文;张森;刘康;曹文鑫;代兵;杨磊;朱嘉琦;曹康丽;韩杰才. MPCVD单晶金刚石初始及断续生长界面的表征与分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1765-1769.