欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 1999, Vol. 28 ›› Issue (2): 168-171.

• • 上一篇    下一篇

Cd:PbWO4晶体的生长及其性质

刘欣荣;徐衍岭;杨春辉;徐悟生;王锐;陈刚   

  1. 哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;北京玻璃研究院,北京,100062
  • 出版日期:1999-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目

Growth of Cd:PbWO4 Crystal and Its Properties

Liu Xinrong;Xu Yanling;Yang Chunhui;Xu Wusheng;Wang Rui;Chen Gang   

  • Online:1999-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40~50 ℃/cm和17~25 ℃/cm,生长速度2~3 mm/h,转速为25~30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.

关键词: 掺镉钨酸铅晶体;发射光谱;发光效率;闪烁晶体;引上法晶体生长

中图分类号: