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人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (1): 51-53.

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锗对CZ Si中新施主的影响

张维连;孙军生;檀柏梅;张恩怀;张颖怀   

  1. 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130
  • 出版日期:2000-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目;河北省自然科学基金

Effluence of Ge on New Donor in CZ Si

ZHANG Wei-lian;SUN Jun-sheng;TAN Bai-mei;ZHANG En-huai;ZHANG Ying-huai   

  • Online:2000-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.

关键词: CZ Si;等价掺杂(Ge);新施主;热处理

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