影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

人工晶体学报 ›› 2000, Vol. 29 ›› Issue (2): 176-179.

影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

赖占平;齐德格;高瑞良;杜庚娜;刘晏凤;刘建宁

信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220

出版日期:2000-02-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Homogeneities of SI-GaAs Polished Wafers

LAI Zhan-ping;QI De-ge;GAO Rei-liang;DU Geng-na;LIU Yan-feng;LIU Jian-ning

Online:2000-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.

中图分类号:

O472.1

赖占平;齐德格;高瑞良;杜庚娜;刘晏凤;刘建宁. 影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(2): 176-179.

LAI Zhan-ping;QI De-ge;GAO Rei-liang;DU Geng-na;LIU Yan-feng;LIU Jian-ning. Study on the Homogeneities of SI-GaAs Polished Wafers[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(2): 176-179.