摘要: 本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度,利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响,得到最佳真空还原参数;制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级,900nm波长光透过率在相变前后改变了40;左右,光学特性相变响应参数较大,热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究,结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原,而升高退火温度可改善结晶状态,退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。
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