人工晶体学报

袁多荣;钟真武;张吉果;段秀兰;郭世义;王新强;姜雪宁;许东;吕孟凯;方奇

2001, 30(2): 113-118.

摘要 ( 32 )

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采用显微结晶，系统地观察、研究了半导体激光(LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2O的溶剂体系中，不同条件下的结晶习性。结果给出：在KCl浓度为3;～10;范围，pH值为3.0～4.3范围时，结晶形态规则，各项生长速度均匀，结晶透明；pH值为2.0～3.0条件下，z轴方向生长速度变快，a轴方向生长速度变慢；杂质严重影响了结晶的质量和外形；溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。

CdSe单晶体的生长及其特性研究

邵双运;金应荣;朱世富;赵北君;宋芳;王学敏;朱兴华

2001, 30(2): 119-122.

摘要 ( 28 )

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本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了观测，其电阻率为107Ωcm量级，电子陷阱浓度为108cm-3量级，第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶，设备简单，易于操作，在提纯和生长过程中不需要转移原料，有利于减少晶体中的杂质含量，降低位错密度，改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。

双掺离子在KTNNP晶体生长中的协同效应研究

常新安;臧和贵;肖卫强;张晓红;江少林;王希敏;张克从

2001, 30(2): 123-128.

摘要 ( 18 )

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本文采用高温溶液法生长了不同掺质浓度的较大尺寸掺Nd3+和Nb5+KTP(KTNNP)晶体，以X射线单晶衍射仪测定了所生长晶体的晶胞参数，以等离子发射光谱(ICP-AES)法系统测定了晶体中的掺质浓度。实验结果显示，掺Nd3+和Nb5+后，KTP晶体生长习性和形态发生了很大的变化，而且体系中Nd3+的分配系数明显增大，并随Nb5+浓度的增大而增大，从而体现了Nb5+对Nd3+的协同效应。另外，掺质后，晶体的单胞体积一般略有增大，但未呈现出规律性。

近化学计量比LiNbO3晶体的生长及其组分测定

陈晓军;李兵;朱登松;李冠告;陈绍林;黄自恒;吴仲康

2001, 30(2): 129-134.

摘要 ( 35 )

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铌酸锂晶体(LiNbO3)是一种典型的非化学计量比晶体，通常所使用的同成分LiNbO3晶体中的锂铌比(［Li］/［Nb］)约为48.6/51.4。我们利用提拉法，从掺入11mol;k2O的同成分LiNbO3熔体中生长出了高光学质量的近化学计量比LiNbO3单晶。与同成分LiNbO3晶体相比，其吸收边向短波方向移动；E模(153cm-1)喇曼谱线宽从9.4cm-1降低到了7.0cm-1，A1模(876cm-1)喇曼谱线宽从25.5cm-1降低到了20.0cm-1；产生532nm～1064nm 2次谐波的相匹配温度从室温增加到了155.5℃；OH-红外吸收谱线宽明显变窄，波形也有明显的变化。这些结果表明这种LiNbO3晶体中的LiO2含量为49.6mol;，即［Li］/［Nb］为0.984，接近其化学计量比

Nd3+:KGd(WO4)2激光晶体的研究

涂朝阳;李坚富;朱昭捷;唐鼎元;王元康;罗遵度;J.J.Romero;J.Garcia Sole

2001, 30(2): 135-139.

摘要 ( 17 )

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合成了一系列不同Nd3+浓度掺杂的Nd3+：KGd(WO4)2粉末样品，进行了荧光光谱测试，初步确定了Nd3+的最佳掺杂浓度；测定了Nd3+：KGd(WO4)2-K2WO4生长体系的生长温度曲线，生长出尺寸达50mm的Nd3+：KGd(WO4)2优质激光晶体，切割出尺寸为5mm×5mm×6mm的优质激光器件，采用钛宝石模拟LD泵浦，在1.06μm处得到260mW的激光输出，斜率效率达到66;；在1.03μm处得到135mW激光输出，斜率效率达到34.3;。

BPO4晶体的生长及孪晶缺陷分析

沈卫军;胡小波;傅佩珍;姚吉勇;曾文荣;陈创天;田玉莲;蒋建华

2001, 30(2): 140-143.

摘要 ( 38 )

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利用助熔剂法，采用顶部籽晶技术生长出新型非线光学晶体材料BPO4(简称BPO)晶体，用同步辐射白光X射线形貌术拍摄了(001)，(101)切片的形貌像，观察到了生长孪晶结构。从形貌像中可明显地观察到游离于主晶形貌像之外的孪晶形貌像，并从结构上解释了孪晶的形成原因。

过去10年晶体研究透视

徐家跃

2001, 30(2): 144-148.

摘要 ( 34 )

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通过对1991～1999年间MSCI数据库中有关晶体论文的计量分析，研究了近10年来晶体学科的发展轨迹。总体来看，晶体学科发展迅速，论文总量逐年以千篇之数快速增长，其中激光晶体论文数增长很快。在我们调查的多种功能晶体中，KDP和含铅铌酸盐晶体(PMN和PZN)近年来增长速率明显高于其它晶体，作为研究热点必将持续下去。SBN论文在近2～3年中也保持较高的数量。由于固液界面温度梯度较小以及容易批量生产等优点，垂直布里奇曼生长技术近年来颇受晶体研究人员的重视。

一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究

王燕;于锡玲;孙大亮;殷绍唐

2001, 30(2): 149-153.

摘要 ( 32 )

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本文实时测定了312.16K时一水甲酸锂晶体(LFM)(010)和(021)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型，计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。

氮化镓纳米固体的合成及其激光拉曼光谱

许涛;许燕萍;曹永革;兰玉成;李建业;张王月;杨志;陈小龙

2001, 30(2): 154-158.

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利用氨热法合成了一种新型致密材料—氮化镓纳米固体。该纳米固体呈淡黄色，半透明，其组成颗粒的平均粒径为12nm，为六方纤锌矿型结构。与氮化镓单晶相比，在该纳米固体的激光拉曼光谱上观察到了由于纳米尺寸效应而引起的E2(high)声子带的红移、带的宽化和新的声子带(656cm-1和714cm-1)的出现

半导体GaAs—Ga0.65Al0.35As多量子阱的光谱性质及实现激光制冷的可能

张喜田;张伟力;高红;许武;秦伟平;张家骅;陈宝玖

2001, 30(2): 159-162.

摘要 ( 31 )

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我们利用光致发光(PL)和激发光谱(PLE)技术研究了GaAs量子阱的光谱性质，在GaAs量子阱的光致发光中观察到上转换发光，首次提出GaAs量子阱结构可能实现激光制冷，探索了GaAs量子阱结构的发光机理。

ADP晶体电光系数测量

李征东;黄祥金;熊克明

2001, 30(2): 163-166.

摘要 ( 31 )

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用静态法测量了ADP晶体的电光系数，在波长632.8nm，γ63=8.14±0.1×10-12m/V，γ41=22.2±0.2×10-12m/V，在488nm，γ63=8.07±0.1×10-12m/V，γ41=22.9±0.2×10-12m/V，实验值与文献基本一致。

高质量CVD金刚石膜的氧化损伤

刘敬明;唐伟忠;吕反修

2001, 30(2): 167-170.

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高质量CVD金刚石膜的高温损伤的研究是其高温应用的基础。抛光的金刚石膜经780℃保温3min后，红外透过和可见光的透过率开始下降；780℃保温15min后，其红外透过和可见光的透过率严重受损。扫描电镜、原子力学显微镜及台阶仪的结果表明：CVD金刚石膜氧化的开始阶段主要集中在晶界、表面孔洞等缺陷处，随后导致金刚石膜的晶面也开始刻蚀，表面粗糙度增大，最终使得金刚石膜丧失红外和可见光的透过。

晶体生长界面相研究

李国华;王大伟;黄志良

2001, 30(2): 171-177.

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在分析前人的晶体生长理论时，作者认为晶体生长过程中可能存在界面相；在分析各种晶体生长现象后认为，晶体生长过程中界面相是存在的，并起着十分重要的作用；通过分析研究，将晶体生长过程中的界面相划分为3个有机的组成部分：界面层、吸附层和过渡层；并进一步论述了界面层、吸附层和过渡层在晶体生长过程中的地位与作用；在此基础上提出了界面相模型。

GaPO4晶体弹性与压电性能的研究

王越;孙云旭;蒋毅坚;杨赤

2001, 30(2): 178-184.

摘要 ( 34 )

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本文首先绘制了GaPO4晶体在(100)、(010)、(001)三个主晶面内慢度分布曲线，计算了声速的最大值，并与水晶进行了比较，发现GaPO4晶体的声速普遍小于水晶的声速；其次还探讨了GaPO4晶体压电系数d11及机电耦合系数k11随空间方向变化的规律，得到了GaPO4晶体d11、k11的最大值及其方向，并分别和水晶进行了比较，发现GaPO4晶体的d11和k11都远大于水晶的。这些结果将对GaPO4晶体在压电器件和声光器件的设计、开发及利用等方面具有一定的理论指导作用。

价态和结构对VO2薄膜热致相变光电性能的影响

卢勇;林理彬;邹萍;何捷;王鹏

2001, 30(2): 185-191.

摘要 ( 35 )

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本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度，利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜；通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响，得到最佳真空还原参数；制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级，900nm波长光透过率在相变前后改变了40;左右，光学特性相变响应参数较大，热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究，结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原，而升高退火温度可改善结晶状态，退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。

Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17磁性单晶的生长和相图

陈京兰;孟丽琴;赵德乾;高书侠;杜江;吴光恒

2001, 30(2): 192-197.

摘要 ( 31 )

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利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶，并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明：Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应，而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件，获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶。分析了Si替代对于化合物结构的影响。测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出，在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品。这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。

LaMAl11O19(M＝Mg,Fe)的化学键性质和穆斯堡尔谱研究

高发明;李东春;张思远

2001, 30(2): 198-202.

摘要 ( 34 )

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利用复杂晶体化学键的平均能带模型研究了LaMAl11O19(M＝Mg,Fe)晶体的化学键性质。结果表明，La-O键只有3;的共价性，4f1格位却具有很强的共价特征。晶体中各格位共价次序为：La-O＜Al(5)-O＜Al(1)-O＜Al(4)-O＜Al(2)-O＜Al(3)-O＜M-O。其中2d格位和4e格位具有强的各向异性特征。利用由共价性和极化率定义的化学环境因子h计算了LaFeAl11O19中57Fe的穆斯堡尔同质异能位移和LaMgAl11O19∶Eu中151Eu的同质异能位移，所得结果与实验值一致。

上转换激光和上转换发光材料的研究进展

徐东勇;臧竞存

2001, 30(2): 203-210.

摘要 ( 41 )

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本文简单介绍了上转换材料的大致发展历史和形成上转换发光的4种机理。综述了上转换激光和发光材料的一些体系，并就基质材料，敏化发光以及单一波长和双波长泵浦对发光的影响进行了进一步探讨。

助熔剂法生长的PLZST单晶的缺陷研究

严清峰;宋锋兵;张一玲;李强

2001, 30(2): 211-215.

摘要 ( 43 )

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本文介绍了助熔剂缓慢降温自发成核法生长的稀土掺杂锆钛锡酸铅镧(PLZST)晶体中出现的几种缺陷：包裹体、开裂、位错、枝晶，分析了这些缺陷的形成机理并提出了减少和消除这些缺陷的一些措施。

B对人造金刚石表面结构及性能的影响

关长斌;崔占全;杨雪梅

2001, 30(2): 216-219.

摘要 ( 30 )

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研究了B对人造金刚石表面结构及性能的影响。结果表明，采用渗B石墨或渗B触媒合成的金刚石，表面存在有螺旋状和阶梯状生长台阶，树枝状和河流状结晶等。但对金刚石性能影响不大。含B金刚石的性能明显优于不含B金刚石。且渗B石墨对金刚石性能的影响比渗B触媒大。

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