摘要： 本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01;和1.16;.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76;时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76;以下.

关键词: 电光晶体;生长动力学;硒酸氢铷;多二维成核生长

中图分类号: 

• O781