人工晶体学报

张承乾;王继扬;胡小波;江怀东;李静;刘耀岗;戚华;吴以成;陈创天

2001, 30(4): 325-329.

摘要 ( 23 )

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本文以高温固相反应合成了K2Al2B2O7(KABO);以自发成核的方法探索了KABO晶体生长的助熔剂体系,NaF为KABO晶体生长的最适宜助熔剂体系,适宜配比为KABO∶NaF=1∶2,讨论了籽晶方向对晶体生长的影响,[110]方向是KABO晶体生长的最佳籽晶方向;运用顶部籽晶生长技术以NaF为助熔剂成功生长出尺寸达50mm×20mm×17mm,重30g的高光学质量透明单晶.

铅基弛豫型铁电单晶研究进展及其应用

郭益平;罗豪更;徐海清;贺天厚;方必军;殷之文

2001, 30(4): 330-336.

摘要 ( 28 )

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铅基弛豫型铁电单晶由于其具有潜在的巨大商业和军用价值日益受到了人们的重视.本文主要对新型压电单晶的研究进展进行了较为全面的概述.并对其在电声换能技术中的应用前景进行了分析.同时指出了目前研究中存在的主要问题并提出展望.

β′-相掺钕钼酸钆晶体生长和性质研究

邹宇琦;干福熹;唐鼎元;罗遵度

2001, 30(4): 337-340.

摘要 ( 31 )

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采用提拉法生长β′-相掺钕钼酸钆晶体.在1000℃温度下烧结72h合成钼酸钆粉末样品.研究了生长工艺,拉速0.3～3mm/h,转速10～40r/min.沿[001]方向生长出35mm的掺钕钼酸钆单晶,晶体为紫色,透明.钕离子分凝系数略大于1.

大尺寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)单晶的生长研究

赵广军;李涛;徐军

2001, 30(4): 341-347.

摘要 ( 28 )

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随着光纤通讯产业的迅猛发展,市场对3英寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(分子式为Gd3Ga5O12,简称GGG)的需求量急剧增加.本文从磁光薄膜(YIG以及类YIG)对其外延基底单晶GGG物化性能的要求出发,综述了在利用传统的提拉法生长大尺寸、符合磁光薄膜衬底要求的Gd3Ga5O12单晶的过程中,出现的诸如Ga2O3组分挥发,界面翻转,螺旋生长和晶体的开裂等问题,针对各个问题讨论了它们的形成机制并提出了它们的解决方法.最后,还根据目前磁光薄膜的发展情况,预见了纯GGG和掺质GGG单晶的研究和发展趋势.

高分子凝胶法蓝色发光ZnS微晶的制备及形成机理

陈宗高;李冬梅;桑文斌;闵嘉华;王灵玲;徐慧超;陈建明;毛日华

2001, 30(4): 348-353.

摘要 ( 24 )

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本研究采用高分子凝胶法在聚乙烯醇基体上制备了ZnS微晶.常温下,采用金相显微镜、X射线衍射仪及荧光分光光度计对样品进行了表征.结果表明,PVA膜中的微晶分布均匀,粒径大小为0.2～1μm.微晶具有明显的立方相结构,衍射峰有宽化现象.发现PL光谱的激发峰与发射峰都为双峰结构,发射最高峰在440nm处,半高宽为50nm左右.在紫外灯照射下,肉眼观看该薄膜样品,发出耀眼的蓝光.探讨了微晶在聚乙烯醇稳定剂中的形成机理,聚乙烯醇在体系中起着包覆、稳定及表面修饰作用.

大尺寸无机闪烁晶体Ce3+:YAG的生长和光谱研究

黄朝红;陆磊;周东方;秦青海;李运奎;殷绍唐;施朝淑

2001, 30(4): 354-357.

摘要 ( 25 )

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本文研究了大尺寸、高光学质量无机闪烁晶体Ce3+:YAG的生长,并对它的吸收光谱和荧光光谱进行了测量和分析.在克服了晶体易开裂和出现宏观缺陷的情况下,采用提拉法成功生长出直径达45mm的Ce3+:YAG单晶.光谱测量表明晶体具有优良的光学性能.并已经在大规模集成电路的检测上得到应用.

电光晶体硒酸氢铷(RHSe)的生长动力学

胡晓琳;陈建中;庄乃锋;兰建明;赵斌

2001, 30(4): 358-363.

摘要 ( 29 )

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本文采用动态循环观察法测量了RHSe晶体在水溶液中不同过饱和度下主要显露晶面的生长速率.结果表明,RHSe晶体主要显露晶面的生长机制是多二维成核生长机制,在饱和点为38.00℃的溶液中,RHSe晶体的{111}和{101}晶面的临界过饱和度分别为1.01;和1.16;.实验过程中还发现,当过饱和度大于1.76;时,晶体生长速率太快而出现宏观缺陷,因而在生长RHSe单晶时,过饱和度应控制在1.76;以下.

PbWO4晶体光学性能的结构效应

宫波;沈定中;任国浩;张海斌;陈晓峰;殷之文

2001, 30(4): 364-368.

摘要 ( 25 )

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本文针对人工合成PbWO4晶体的结构特征,测试了晶体沿[100]与[001]方向的光学透射谱、发射光谱以及发光效率,详细地讨论了PbWO4晶体显著的光学各向异性效应,并分析了其特点及起因.

水热条件下Cu2O的连生习性

陈之战;施尔畏;李汶军;郑燕青;仲维卓

2001, 30(4): 369-374.

摘要 ( 32 )

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Cu2O具有立方体、八面体、菱形十二面体、四角三八面体、三角三八面体等多种单形.其形貌特征因不同的制备方法而各异.本文首次发现在水热条件下,Cu2O出现取向连生的形貌特征.{100}面为连生面.利用负离子配位多面体生长基元理论模型成功地解释了这种现象.

已二酸十八酯(OAO)晶体结晶习性研究

陈义平;关铁堂;郭一帆

2001, 30(4): 375-378.

摘要 ( 22 )

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已二酸十八酯(OAO)分子间结合力小,结晶性差,所以创造条件改善OAO的结晶性是OAO单晶生长的一项关键工作.本文以恒温蒸发法做了OAO在各种极性不同溶剂中的结晶性实验,结果表明溶剂的极性愈小对OAO的结晶愈有利;本文还做了OAO籽晶在不同的过饱和度和不同的晶体生长温度中的生长实验,结果发现,增大溶液过饱和度和生长温度对OAO结晶生长是有利的,特别使难生长的(001)面容易长厚.

非线性光学晶体CBO的缺陷形貌分析

徐子颉;吴以成;傅佩珍;王俊新;蒋建华;田玉莲

2001, 30(4): 379-382.

摘要 ( 34 )

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以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯(化学式CsB3O5,简称CBO)晶体,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的(001)面、(010)面和(100)面进行了观察.观察结果表明,CBO晶体的主要缺陷是生长层.缺陷形成的原因是晶体生长炉内热流的非稳态对流和温度振荡导致晶体的微观生长率随时间变化,溶质粒子不能均匀分布在晶体生长前沿.

碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究

刘克岳;王金义;吴人齐

2001, 30(4): 383-388.

摘要 ( 47 )

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本文利用碲镉汞膺二元固液T-X相图对碲镉汞晶体生长方法进行了分类研究;分析了影响碲镉汞晶体组分及其均匀性的因素,提出了存在的问题和改善的措施;认为在特定组分的固相线温度(相图中的B点)生长碲镉汞晶体是一种比较有效的方法,并报道了采用双相复合维持液相成份生长大直径40mm碲镉汞晶体组分控制研究的结果(在S≈12cm2的晶片面积上,x＝0.218±0.003).

ZnO∶Er薄膜的结构和发光特性研究

张喜田;高红;张伟力;袁斯伟;刘益春;许武

2001, 30(4): 389-392.

摘要 ( 24 )

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本文研究了用电子束分蒸技术制备的ZnO∶Er薄膜的结构和发光特性.X射线衍射(XRD)谱表明,六角晶体结构的ZnO∶Er薄膜具有强的择优c轴取向(002).在室温下,用阴极射线激发样品,观测到强的蓝光(455nm)发射.本文认为,蓝光发射是ZnO∶Er薄膜中铒离子(Er3+)的激发态4F5/2到基态4I15/2的辐射跃迁.研究薄膜的阴极射线发光强度与电子束流的关系时发现,蓝光发射强度强烈地依赖于电子束流的大小.此外,超过阈值电子束流0.6μA,蓝光发射强度首先迅速增加,然后缓慢地增加,趋于饱和,根据瓶颈效应和稀土发光理论很好地解释了这一实验结果.

提拉法生长单晶工艺中扩肩阶段实行自动控制的研究

周志强;张振志;康平;成肇安;杜小红

2001, 30(4): 393-397.

摘要 ( 41 )

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在用提拉法(Czochralski)生长钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)单晶的实践中,通过对上"浮秤”模拟体的优化设计,成功实现了扩肩工艺阶段的自动控制.

碳纳米管的生产及应用

孙晓刚;曾效舒;程国安

2001, 30(4): 398-403.

摘要 ( 28 )

PDF (138KB) ( 33 )

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本文介绍了巴基球及碳纳米管的发现和历史,重点介绍了碳纳米管的基本性质和晶体结构,并描述了碳纳米管电传导和热传导的机理.还介绍了碳纳米管的主要生产方法和各自的优点,并根据全球碳纳米管应用研究方向,对碳纳米管的应用领域进行了探讨,对碳纳米管的应用前景及商业开发价值进行了乐观的展望.

对触媒熔剂法金刚石生长的再认识(Ⅰ)--金刚石晶体生长的准稳定区

王德新;王福泉;刘光海;陈祥安;郑振凯;刘建平

2001, 30(4): 404-412.

摘要 ( 21 )

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本文根据溶液晶体生长理论与实践,认定在金刚石结晶V形区域内存在着晶体生长准稳定区.熔剂-碳二元共熔体系处于准稳定的过饱和溶液中,准稳定的过饱和度是金刚石晶体生长的驱动力.提出了设计合理的加热组装结构、建立金刚石生长适宜压力场、温度场的必要条件,以保证在准稳定的过压度驱动下生长出晶形完整的优质金刚石.

超精密金刚石刀具研磨技术的研究

刘志平;董丽华;韩毅松;宋坚

2001, 30(4): 413-418.

摘要 ( 34 )

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超精密金刚石刀具的两个基本精度要求是刀刃轮廓精度和刃口半径.金刚石晶体的定向和晶面选择是超精密金刚石刀具研磨技术的基础,而磨削速率、压力、研磨盘和研磨粉等则是影响研磨效率和研磨质量的几个主要工艺因素,本文分别对金刚石的晶体定向和晶面选择方法进行了简要介绍,并对影响研磨效率和研磨质量的几个主要工艺因素进行了实验研究;同时对研磨的刀具进行了切削加工实验,最后探讨了超精密金刚石刀具技术的进展.

声表面波器件用Y36°切LiTaO3晶片表面加工研究

夏宗仁;李春忠;崔坤

2001, 30(4): 419-421.

摘要 ( 32 )

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采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层,其平均值在26.2～52.8μm之间;根据工序要求,选取加工余量为150μm左右,采用天然石榴石研磨粉,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷,并采用化学机械抛光法,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3晶片.

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