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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (2): 111-113.

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用化学气相沉积(CVD)法制备硫化锌(ZnS)体块材料中晶体缺陷和生长工艺的研究

闫泽武;王和明;蔡以超;杨耀源;东艳苹;范志达   

  1. 中非人工晶体研究院
  • 出版日期:2002-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Growth Technology and Crystal Defects in ZnS Bulk Crystal Prepared by CVD Method

  • Online:2002-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文报道了用化学气相沉积(CVD)法制备高质量红外光学体块材料硫化锌(ZnS)的制备工艺,研究了晶体缺陷对其光学性能的影响.XRD,XEM及IR表明,采用优化的沉积工艺和热等静压后处理,减少晶体中杂质、微孔、六方结构ZnS及Zn-H键的形成,使生长的CVD ZnS具有高的红外透过率,提高了材料的光学品质.

关键词: 化学气相沉积法;硫化锌;缺陷;热等静压;红外透过率

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