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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (2): 144-147.

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大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

郎荣福;荣剑英;赵秀平;李将录;赵洪安   

  1. 哈尔滨师范大学阿城学院物理系,哈尔滨,150301;哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨150081
  • 出版日期:2002-04-15 发布日期:2021-01-20

Preparation and Properties of Large-size Pseudoternary Semiconductive Cooling Material

  • Online:2002-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.

关键词: 垂直区熔法;Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3;大尺寸晶锭

中图分类号: