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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (3): 305-309.

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CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡

金应荣;朱世富;赵北君;王学敏;宋芳;李奇峰   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2002-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部高校骨干教师资助计划;四川省学术与技术带头人培养基金

Phase Equilibrium of CdSe Crystals in Vapor-phase Growth

  • Online:2002-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120~1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.

关键词: CdSe单晶体;气相生长;相平衡

中图分类号: