人工晶体学报

人工晶体发展动向的探讨

蒋民华

2002, 31(3): 177-181.

摘要 ( 26 )

PDF (169KB) ( 39 )

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本文评述了人工晶体在体块大单晶生长、薄膜的外延生长,微结构和光子晶体、微米晶和纳米晶等方面的新近发展,并对未来的智能晶体进行了讨论.

单分子膜系统中二维生长过程的研究

闵乃本;王牧;李大伟

2002, 31(3): 182-191.

摘要 ( 43 )

PDF (432KB) ( 31 )

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当处于气液界面的类脂类化合物的单分子膜被压缩时,随着分子间距的缩小,单分子膜将经历一系列相变过程.通过荧光显微术可以观测到新相的成核和生长过程.由于单分子膜的二维特性,该系统中的实验观测对于检验和发展二维界面生长理论尤为重要.本文总结了近年来本课题组与相关单位合作,在单分子膜系统中发现的实验现象以及对其生长机制的系列研究.内容包括对单分子膜系统中的成核、界面稳定性、枝晶生长、形态演变等的观测和分析.

铁电晶体KNbO3的研究进展

沈德忠

2002, 31(3): 192-200.

摘要 ( 20 )

PDF (375KB) ( 26 )

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本文评述了近年来国内外对铁电晶体KNbO3在激光倍频和声表面波应用研究方面取得的显著进展,简述了新近生长该晶体的几种方法.最后对KNbO3晶体产业化前景作出了评估.

非线性光学频率变换及准相位匹配技术

姚建铨

2002, 31(3): 201-207.

摘要 ( 42 )

PDF (267KB) ( 28 )

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本文综述了非线性光学频率变换技术的发展及在激光与光电子领域中的地位与作用,概述了它们的基本原理、特点及关键技术,展示了其广阔的应用前景.

半导体纳米结构的可控生长

王占国

2002, 31(3): 208-217.

摘要 ( 33 )

PDF (475KB) ( 36 )

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应用MBE技术和SK生长模式,通过对研究材料体系的应力分布设计,生长动力学研究和生长工艺优化,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点(线)的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长,这对进一步的器件应用特别重要.讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制.

有机分子晶体晶习预测的研究进展

王静康;黄向荣;刘秉文;张缨

2002, 31(3): 218-223.

摘要 ( 19 )

PDF (182KB) ( 21 )

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本文简要介绍了晶习预测在工业结晶过程中的意义;从结晶内部结构出发,阐述了晶习预测的基本原理,介绍了几种常见的理论模型,就上述模型的特点和用途进行了比较,并对未来的发展方向做了展望.附带介绍了几种常见的计算软件.

KBBF晶体的棱镜耦合技术和深紫外谐波输出

陈创天;许祖彦

2002, 31(3): 224-227.

摘要 ( 23 )

PDF (129KB) ( 45 )

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使用KBe2BO3F2(KBBF)晶体的棱镜耦合技术实现了Ti:Sapphire激光的4倍频,最短输出波长已可达到179.4nm.进一步使用和频方法,可输出波长达到163.4nm的最新结果.

人工晶体的发展

张克从;王希敏

2002, 31(3): 228-239.

摘要 ( 24 )

PDF (342KB) ( 26 )

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本文扼要地综述了20世纪后半叶人工晶体发展的简况,其中包括块状晶体、薄膜晶体、纤维晶体、纳米晶体.最后在已取得成就的基础上,展望了人工晶体发展的未来.

负离子配位多面体生长基元与枝蔓晶的形成

仲维卓;罗豪甦;曹虎;华素坤

2002, 31(3): 240-244.

摘要 ( 76 )

PDF (238KB) ( 34 )

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本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了KNbO3,β-SiO2和雪花枝蔓晶的形成机理,提出了枝蔓晶的结晶形态和对称性与晶体中的负离子配位多面体相互联结时的稳定方面密切相关.枝蔓晶是在远离晶体生长平衡态的条件下,以负离子配位多面体为生长基元,相互按照最稳定的联结方位延伸的.

相场方法及其在晶体生长中的应用

陈万春;简来成

2002, 31(3): 245-259.

摘要 ( 48 )

PDF (641KB) ( 34 )

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相场方法已被发掘出用于直接求解含时的自由边界问题-著名的斯特藩方程.该方法作为晶体生长过程中模拟复杂图形成因的计算工具,已呈现出强有力的生命力.目前的研究在于努力发展精巧的计算技术,以便对于晶体生长和金属凝固过程进行理论模拟,而这些技术将有可能广泛地应用于工业流程.相场方法之所以具有吸引力,基于如下事实:在计算机模拟过程中,既可避免对于边界的实时追踪,又不需要反复判别是否满足显式边界条件.在过去的10年中,它已逐步被用于研究晶体生长的基础课题.诸如:热质输运、晶体生长动力学、二维和三维枝晶生长、图形选择、生长形态和显微结构等.本文对相场方法进行评述,同时给出其最新应用结果.

激光自倍频晶体YbxY1-xAl3(BO3)4的研究进展

王继扬;李静;蒋民华

2002, 31(3): 260-265.

摘要 ( 23 )

PDF (213KB) ( 34 )

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本文回顾了自倍频晶体的发展过程:从Yb3+离子的能级结构和光谱特性出发,阐述了掺Yb3+激光材料的研究前景和研究意义;简述了本课题组在YbxY1-xAl3(BO3)4晶体方面所取得的研究成果;并对YbxY1-xAl3(BO3)4晶体的未来发展作了展望.

蓝绿光波段激光技术与材料的研究进展

阮永丰;许强;林林

2002, 31(3): 266-276.

摘要 ( 25 )

PDF (368KB) ( 28 )

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本文结合作者自己的研究工作,综述了蓝绿光波段激光技术与材料的研究进展,从基本原理到实际问题,从历史进程到最新成就,总结了该领域内近20年的主要动态和成果,内容包括倍频技术与倍频晶体、波导倍频技术与材料、上转换技术与材料及半导体激光技术与材料等,文中同时给出了80篇参考文献.

氮化镓低维材料

陈小龙

2002, 31(3): 277-282.

摘要 ( 30 )

PDF (230KB) ( 32 )

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本文综述了本实验室近年来在半导体低维材料制备和结构方面的一些进展,内容包括纳米线、纳米带、量子点、纳米固体的制备和结构特征、纳米线径向生长动力学和表面形貌稳定性.

金属单晶生长和相关物理工作的结合

吴光恒;陈京兰;王文洪;柳祝红;张铭

2002, 31(3): 283-287.

摘要 ( 47 )

PDF (176KB) ( 25 )

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从近几年的工作结果中总结了一些单晶生长和物理研究相结合的体会.在基础研究中,单晶生长工作仍具有本身的优势和特点.单晶样品促进了物理的深入,物理工作也帮助了生长方法的提高.积极参与物理问题的研究,可以具有材料制备和基础研究两方面的能力.物理工作对材料科学的指导意义可以使我们的单晶生长事半功倍.

硼磷酸盐非线性光学晶体探索

吴以成

2002, 31(3): 288-290.

摘要 ( 21 )

PDF (110KB) ( 30 )

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我们实验室生长了ZBP、MZBP、BBP、SBP等硼磷酸盐晶体并研究了它们的基本特性.这些晶体机械性能良好、物化性质稳定、不潮解、倍频效应与KDP(KH2PO4)相当.

高光输出快衰减高温无机闪烁晶体的研究与发展

赵广军;徐军

2002, 31(3): 291-297.

摘要 ( 44 )

PDF (240KB) ( 32 )

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无机闪烁晶体在影像核医学诊断、工业在线无损检测、油井勘测以及高能离子探测等领域有着广阔的应用背景.尽管不同应用领域对闪烁晶体性能的要求各异,但是不同应用领域要求闪烁晶体具有高光输出、快响应速度以及优良的物化性质等特点却是一致的.因此,近年来,寻求具有高光输出快衰减等综合性能优良的无机闪烁晶体引起了人们的极大兴趣.本文综述了具有高光输出和快衰减无机闪烁晶体的研究与发展趋势,重点阐述了掺杂Ce3+离子的高温闪烁晶体的研究及发展情况.

氧化物晶体的坩埚下降法生长

徐家跃;范世(马/山/豆)

2002, 31(3): 298-304.

摘要 ( 25 )

PDF (256KB) ( 47 )

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本文评述了氧化物晶体坩埚下降法生长的一些研究进展,重点介绍我们研究所在压电晶体、非线性光学晶体、弛豫铁电晶体、闪烁晶体、声光晶体、光折变晶体等方面的研究工作.从技术创新的角度探讨了氧化物晶体坩埚下降法生长工艺的新发展,如连续供料坩埚下降法、熔剂坩埚下降法等.

CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡

金应荣;朱世富;赵北君;王学敏;宋芳;李奇峰

2002, 31(3): 305-309.

摘要 ( 24 )

PDF (149KB) ( 26 )

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化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120～1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.

优良全息光折变存储材料-双掺铌酸锂晶体

孔勇发;许京军;李冠告;黄自恒;陈绍林;李兵;陈云琳;张玲;刘士国;阎文博;刘宏德;王岩;孙骞;张心正;张国权;黄晖;张万林;张光寅

2002, 31(3): 310-313.

摘要 ( 49 )

PDF (130KB) ( 29 )

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我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60～80;)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.

助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体

孙敦陆;杭寅;张连瀚;钱小波;李世峰;徐军;罗国珍;祝世宁;朱永元;林培江;洪荣华;邓棠波

2002, 31(3): 314-317.

摘要 ( 24 )

PDF (157KB) ( 36 )

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利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol;K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol;*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol;和49.9mol;.其中从掺19mol; K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol;的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.

高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体的生长

陶德节;闫如顺;刘福云;郭行安;徐小冬;江小平;胡欢陵

2002, 31(3): 318-320.

摘要 ( 21 )

PDF (127KB) ( 28 )

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用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体(LSAT),晶体尺寸达55mm×50mm.讨论了晶体生长有关工艺,并对晶体的完整性进行了初步研究.

MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究

宋雪梅;宋道颖;陈蔚忠;芦奇力;冯贞健;鲍旭红;邓金祥;陈光华

2002, 31(3): 321-324.

摘要 ( 21 )

PDF (133KB) ( 21 )

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应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

中国人造石英晶体材料行业的现状与展望

王忠;刘有臣

2002, 31(3): 325-327.

摘要 ( 30 )

PDF (64KB) ( 32 )

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本文介绍了我国石英晶体发展的现状.目前我国石英晶体生产总量处于国际第一,受加工设备等因素影响,石英晶体的加工和晶体器件制备水平仍然落后于日本和西方发达国家.在未来10年内,有望成为石英晶体生产强国.

我国人工晶体生长设备的回顾与展望

李留臣;薛抗美

2002, 31(3): 328-331.

摘要 ( 25 )

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本文回顾了我国人工晶体生长设备的发展历史,展望了人工晶体生长设备的发展前景.

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