助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体

人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (3): 314-317.

助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体

孙敦陆;杭寅;张连瀚;钱小波;李世峰;徐军;罗国珍;祝世宁;朱永元;林培江;洪荣华;邓棠波

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800；上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316；中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800；上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316;上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;香港浸会大学物理系,香港

出版日期:2002-06-15 发布日期:2021-01-20

Flux Pulling Method of Growing Stoichiometric LiNbO3 Crystal

Online:2002-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol;K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol;*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol;和49.9mol;.其中从掺19mol; K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol;的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.

中图分类号:

O782

孙敦陆;杭寅;张连瀚;钱小波;李世峰;徐军;罗国珍;祝世宁;朱永元;林培江;洪荣华;邓棠波. 助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(3): 314-317.

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