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人工晶体学报 ›› 2002, Vol. 31 ›› Issue (3): 321-324.

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MWECR CVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究

宋雪梅;宋道颖;陈蔚忠;芦奇力;冯贞健;鲍旭红;邓金祥;陈光华   

  1. 北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022
  • 出版日期:2002-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G000028201-1)

Study on FTIR Spectra of MWECR CVD α-Si:H Films with a High Deposition Rate

  • Online:2002-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

关键词: MWECR CVD;α-Si:H薄膜;IR分析;高斯函数拟合

中图分类号: