人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 109-113.
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潘美军;史伟民;雷平水;李莹;郭燕明
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摘要： 采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.
关键词: 碘化汞;多晶;厚膜;物理气相沉积
中图分类号:
O782.7
潘美军;史伟民;雷平水;李莹;郭燕明. 多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(1): 109-113.
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