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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (1): 92-95.

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ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源;李卫;张力强;蔡以超;王向阳;肖红涛;田鸿昌;东艳萍;方珍意;郝永亮   

  1. 人工晶体研究院,北京,100018
  • 出版日期:2004-02-15 发布日期:2021-01-20

Growth of ZnS Crystals by CVD Technique

  • Online:2004-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70;以上.

关键词: 化学气相沉积法;硫化锌;红外材料

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