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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (2): 217-222.
宇慧平;隋允康;张峰翊;王学锋
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RSS出版日期:2004-04-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2004-04-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布.通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析.
中图分类号:
宇慧平;隋允康;张峰翊;王学锋. 勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(2): 217-222.
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