摘要： 本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.
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杨曜源;蔡以超;东艳苹;张力强;王向阳;肖红涛;田鸿昌;李卫;郝永亮;方珍意. 工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(2): 238-240.
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