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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (3): 363-366.

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Nd:LuVO4晶体的生长及其性能研究

赵守仁;张怀金;胡小波;孔海宽;刘均海;徐现刚;王继扬;蒋民华   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2004-06-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Some Properties of Nd:LuVO4 Crystal

  • Online:2004-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用提拉(Czochralski)法生长了Nd:LuVO4晶体.利用液相反应法,以V2O5和NH4OH生成NH4VO3,Nd2O3、Lu2O3和HNO3生成Nd(NO3)3和Lu(NO3)3反应制备多晶料;所生长Nd0.01Lu0.99VO4晶体为16×20×21 mm3,质量超过40g.以X射线荧光分析仪测得其生长中各主要元素的分凝系数.其中Nd3+约为0.91,V3+和Lu3+接近1.还测定了其介电常数ε11=27.2,ε33=33.9(30℃,1kHz),以同步辐射X射线白光形貌术观察了其内部质量.

关键词: Nd:LuVO4;提拉法;分凝系数;介电常数;同步辐射形貌

中图分类号: