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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 699-702.
高磊;王继扬;刘宏;吴剑波;秦小勇
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RSS出版日期:2004-10-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2004-10-15
Published:2021-01-20
摘要： 利用提拉法,在富锂(Li2O∶NbO3=58.5/41.5)熔体中生长了质量良好的近化学计量比铌酸锂单晶,其紫外吸收边位置为308nm,居里温度超过了1200℃.测量了其Z向晶片的压电系数d33,并且观察了Z向晶片的180°畴,结果证明除少数区域外,所生长晶体为单畴.
中图分类号:
高磊;王继扬;刘宏;吴剑波;秦小勇. 富锂熔体中提拉法生长近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 699-702.
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