人工晶体学报

常峰;傅佩珍;徐子颉;吴以成

2004, 33(5): 695-698.

摘要 ( 25 )

PDF (204KB) ( 23 )

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本文采用籽晶浸没法,在Cs2O过量3;的Cs2O-B2O3体系中生长了CsB3O5单晶.生长参数如下:液面以下温度梯度为0.5℃/cm, 晶体旋转速度为12r/min,降温速率0.2℃/d,可获得透明、无包裹体、无开裂、最大尺寸达65×44×49mm3的CsB3O5单晶.研究了CsB3O5的生长形貌,CsB3O5生长没有明显的方向性,总是呈现长柱状,最易出现的晶面是(011)和(101)晶面.

富锂熔体中提拉法生长近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体

高磊;王继扬;刘宏;吴剑波;秦小勇

2004, 33(5): 699-702.

摘要 ( 34 )

PDF (152KB) ( 40 )

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利用提拉法,在富锂(Li2O∶NbO3=58.5/41.5)熔体中生长了质量良好的近化学计量比铌酸锂单晶,其紫外吸收边位置为308nm,居里温度超过了1200℃.测量了其Z向晶片的压电系数d33,并且观察了Z向晶片的180°畴,结果证明除少数区域外,所生长晶体为单畴.

REBa2Cu3O7-δ/MgO液相外延生长初始阶段的物理化学研究

胡剑;姚忻

2004, 33(5): 703-711.

摘要 ( 22 )

PDF (354KB) ( 23 )

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本文综述了RE(RE＝Y,Nd)BCO高温超导体厚膜在MgO基片上液相外延生长(Liquid Phase Epitaxy,LPE)的初始阶段研究.外延生长初始阶段直接发生在种膜或者基片上,是整个生长过程最为特殊的阶段,对整个生长过程和晶体质量都有很大的影响.在不同生长条件下,探讨此阶段中熔体/厚膜/种膜/基板间的相互依赖关系及对生长机制的影响,包括:籽晶的部分溶化,基片的回溶,晶粒的优先溶化/生长, 熔体包裹物的形成以及异质种膜外延生长的机制等.

用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

蒲红斌;陈治明;李留臣;封先锋;张群社;沃立民;黄媛媛

2004, 33(5): 712-716.

摘要 ( 18 )

PDF (167KB) ( 30 )

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采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.

一种新型三维包结物的合成和晶体结构

梁淑惠;车云霞;郑吉民

2004, 33(5): 717-721.

摘要 ( 23 )

PDF (191KB) ( 26 )

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以六氰合钴酸钾,五水硫酸铜和乙二胺为原料,通过采用不同溶剂、不同配比实验对比,合成了一种新的三维夹心配位包结物 [Cu(en)2]2{K[Co(CN)6]}2[en=乙二胺]晶体,对其进行了元素分析、红外光谱表征和单晶结构测定.X射线单晶衍射测定表明,该配位包结物属单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数为a=0.8406(3)nm,b=1.6906(5)nm,c=1.1803(4)nm,β=98.931(5)°,V=0.16570(9)nm3,Z=2,dc=1.755g/cm3,μ=2.549mm-1,F(000)=884, R1=0.0323,wR2=0.0807.这种新的三维的夹心配位包结物由[Co(CN)6]3-与外界的K+离子通过氰根(-CN-)配位形成三维网络格子,在每个网格中镶嵌着二乙胺合铜(II)配合物.

β-BBO薄膜的液相外延生长

刘军芳;周国清;何晓明;徐军

2004, 33(5): 722-725.

摘要 ( 26 )

PDF (181KB) ( 33 )

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采用液相外延法在掺Sr2+的α-BBO(001)衬底上进行了生长β-BBO薄膜的实验,生长出表面光滑、无色透明的薄膜.应用X射线粉末衍射(XRD)、分光光谱仪和原子力显微镜(AFM)对外延膜进行了分析测试.结果表明,所制备的β-BBO薄膜择优取向为(001)面,在1μm×1μm的面积内,外延膜的表面粗糙度为2.279nm,其紫外吸收边同β-BBO单晶一样也为190nm,但外延膜的透过率略有下降.采用调Q脉冲Nd: YAG激光器观察了β-BBO外延膜的倍频效应.

大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究

卢文壮;左敦稳;王珉;黎向锋;徐锋;褚向前

2004, 33(5): 726-730.

摘要 ( 29 )

PDF (185KB) ( 33 )

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研究了采用B2O3作为掺杂源以EACVD法沉积大面积掺杂CVD金刚石膜,用SEM、Raman、二次离子质谱仪、四探针电阻仪等对B掺杂金刚石膜进行了分析.结果表明直径达100mm的大面积B掺杂金刚石膜的晶粒分布均匀,非金刚石碳含量较少,生长速率达到10μm/h以上;B掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,高浓度掺杂可以细化晶粒,在高浓度掺杂的膜中存在一定的非晶态碳;金刚石膜中B的含量在一定范围内随着掺杂源浓度的增加而正比增加;金刚石膜的电阻率随着掺杂源B2O3的浓度的增加而下降,当掺杂达到一定浓度时,金刚石膜的电阻率逐渐趋向稳定.

High-k材料研究进展与存在的问题

杨雪娜;王弘;张寅;姚伟峰;尚淑霞;周静涛;刘延辉

2004, 33(5): 731-735.

摘要 ( 63 )

PDF (170KB) ( 34 )

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随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.

纳米晶体光催化剂降解染料废水的最新研究进展

周静涛;王弘;黄伯标;许效红;姚伟峰;张寅;杨雪娜

2004, 33(5): 736-740.

摘要 ( 25 )

PDF (164KB) ( 26 )

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本文综述了近期光催化降解染料废水的研究进展,从光催化剂、反应条件、光降解反应产物及光催化降解染料废水的应用性四个方面介绍了其研究现状, 指出今后的研究方向将集中在新型光催化剂的开发及光催化剂表面改性、光催化体系、光催化降解染料的反应机理及光催化剂与其它水处理技术的结合.

环境条件对Bridgman法晶体生长过程的影响

张海斌;邓群;任国浩;刘高联;宫波

2004, 33(5): 741-746.

摘要 ( 36 )

PDF (215KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

本文对不同环境条件时Bridgman法晶体生长过程进行计算,并对不同条件对生长过程的影响加以讨论.较大的温度梯度、较大的换热系数和适量的底部冷却是Bridgman法晶体生长的必备条件,也是工艺优化的重要方向.

快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

郝秋艳;乔治;张建峰;任丙彦;李养贤;刘彩池

2004, 33(5): 747-750.

摘要 ( 35 )

PDF (139KB) ( 30 )

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本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3;)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.

BiB3O6晶体最佳生长方向的确定

滕冰;王继扬;董胜明;胡小波;王正平;邵宗书;刘耀岗

2004, 33(5): 751-754.

摘要 ( 28 )

PDF (156KB) ( 30 )

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非线性光学晶体BiB3O6属单斜晶系,晶体的极性生长严重.采用不同方向的籽晶,晶体的形状、尺寸、质量和生长速度有着很大的差异.为了确定晶体的最佳生长方向,热膨胀性能被考虑.通过分析热膨胀椭球,[101]方向被确定为最佳籽晶方向.在适合的高温溶液条件和工艺参数下,沿着该方向,成功生长了尺寸为30mm×30mm×40mm、重120g的BiB3O6晶体.

退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响

朱宝富;黄柏标;秦晓燕;李先林;姚书山;尉吉勇;张琦

2004, 33(5): 755-757.

摘要 ( 29 )

PDF (125KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.

凝胶燃烧制备中温固体电解质La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ

张乃庆;孙克宁;朴金花;吴宁宁;周德瑞

2004, 33(5): 758-761.

摘要 ( 27 )

PDF (148KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

本文采用凝胶燃烧法制备La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ固体电解质(LSGM),讨论了溶液浓度、pH值、柠檬酸的加入量、加热温度等工艺条件对成胶的影响,X射线衍射分析表明,凝胶经1400℃煅烧10h制备得到单相粉体,制备的粉体颗粒尺寸平均为150nm.

金属有机分解法制备无铅K0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜

杨长红;王卓;韩建儒

2004, 33(5): 762-764.

摘要 ( 22 )

PDF (113KB) ( 29 )

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采用金属有机分解法(MOD)在p型Si(111)衬底上制备了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.同时还研究了薄膜的绝缘性和存储性能.结果发现在740°C下退火4min的KBT薄膜呈钙钛矿结构;在0～8V范围内,薄膜的漏电流小于1.5×10-9A;在-12～+8V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为10V.

基于电沉积技术的纳米晶材料晶粒细化工艺研究

朱荻;张文峰;雷卫宁

2004, 33(5): 765-769.

摘要 ( 27 )

PDF (134KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

纳米晶材料电沉积工艺是在传统电沉积工艺的基础上,通过控制适当的工艺条件,最终获得具有各种性能的纳米晶电沉积层的过程.研究表明,由电沉积工艺制备的纳米晶材料,晶粒细小且组织均匀,具有耐磨、耐蚀、耐高温氧化等特殊性能.本文分析了在电沉积过程中纳米晶形成的机理,探讨了工艺参数、复合电沉积和脉冲电沉积、有机添加剂以及采用其它工艺措施对晶粒细化过程的影响.介绍了电沉积纳米晶材料的各种性能及应用.

Yb:GdVO4晶体的光谱及激光损伤阈值

庄乃锋;赵斌;胡晓琳;陈晶玲;高绍康;陈建中

2004, 33(5): 770-775.

摘要 ( 21 )

PDF (240KB) ( 36 )

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采用提拉法(Czochralski)生长出优质的GdVO4和Yb:GdVO4晶体,其中纯GdVO4晶体具有较高的透过率,可达81;.晶体在室温下的偏振吸收光谱与非偏振荧光光谱表明,Yb:GdVO4晶体是一种具有较大的吸收半峰宽和荧光半峰宽的激光晶体,分别为44～52nm和40～46nm;随着掺杂浓度增大,π偏振吸收系数呈现饱和趋势,且荧光峰的位置出现了红移.此外,还采用Nd:YAG激光器测试了晶体的激光损伤阈值,实验表明,随着Yb3+掺杂浓度从4.1at;增加到22.9at;,激光损伤阈值也相应地从19.9×109W/cm2逐渐减小到2.79×109W/cm2.

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

骆英民;马剑刚;徐海阳;刘益春;钟殿强;齐秀英

2004, 33(5): 776-780.

摘要 ( 24 )

PDF (185KB) ( 33 )

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采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.

重掺硅衬底片的内吸除效应

张红娣;郝秋艳;张建峰;张建强;李养贤;刘彩池

2004, 33(5): 781-783.

摘要 ( 28 )

PDF (126KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.

硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究

李晓苇;刘荣鹃;江晓利;陆晓东;赖伟东;杨少鹏;傅广生

2004, 33(5): 784-787.

摘要 ( 17 )

PDF (127KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱.分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件.

N型赝三元热压热电材料的微观结构和电学性能

吕强;胡建民;信江波;荣剑英

2004, 33(5): 788-791.

摘要 ( 27 )

PDF (175KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

通过熔炼/研磨技术和热压方法制备N型赝三元热压块体材料.通过SEM和XRD研究了由不同粒度粉末制备的热压块体材料的微观结构,在室温条件下测量了热压材料样品的电学性能.结果表明热压块体材料在微观结构和电学性能上存在各向异性,从而预示能够在增强材料机械强度的同时提高其热电性能.

掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

张维连;牛新环;吕海涛;张恩怀;孙军生

2004, 33(5): 792-796.

摘要 ( 12 )

PDF (180KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1;(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.

三端纳米分子桥的电子传输特性研究

王利光;李勇;郁鼎文;塚田捷;田上胜规

2004, 33(5): 797-800.

摘要 ( 37 )

PDF (189KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

利用基于Green Function的Tight-binding方法,对由平面共轭分子连结成的三端子纳米分子桥进行了理论研究和数值模拟,得出了入射电子通过纳米分子桥传输到各个端点的电子传输概率,揭示出传导电子与分子轨道共振时传输峰值的出现和电子传输振荡的物理机制.利用Fisher-Lee 关系式和电子流密度理论,在传输概率出现峰值的两个能量点E=±1.89处计算了分子桥内的电子流分布,同时得出了键电子流的最大值,并且得出了数值模拟结果.

新型钨青铜型晶体Ca0.28Ba0.72Nb2O6的生长研究

宋化龙;张怀金;徐现刚;胡小波;许心光;王继扬;蒋民华

2004, 33(5): 801-805.

摘要 ( 29 )

PDF (189KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

研究了Ca0.28Ba0.72Nb2O6 (CBN-28)多晶料的制备和单晶的生长,用提拉法成功生长出CBN-28单晶.从X射线粉末衍射数据计算了CBN-28晶体的晶胞参数,并对其粉末衍射图各衍射峰进行了指标化.CBN晶体属四方晶系4mm点群.晶胞参数为a=1.2432(±2)nm,c=0.3957(±1)nm.采用浮力法测得其平均密度为5.372g/cm3,测得其莫式硬度为7,并通过测量CBN-28的介电性质,确定其居里点为260℃.

Yb:YAG闪烁晶体的UV发光特性

杨培志;廖晶莹;殷之文

2004, 33(5): 806-809.

摘要 ( 32 )

PDF (159KB) ( 32 )

相关文章 | 计量指标

通过对不同掺杂浓度Yb:YAG晶体的透过光谱、激发光谱、发射光谱和衰减时间的测量,研究了Yb:YAG晶体的UV发光特性和发光机制.Yb:YAG晶体在紫外波段具有宽的激发带和发射带.最强的发射峰位于320～350nm波长范围,此即为Yb:YAG晶体的闪烁发光峰;次强的发射峰位于500nm附近.Yb:YAG晶体的UV发光衰减时间小于50ns.Yb:YAG晶体的UV发光行为是电子从Yb3+离子的4f壳层向配体O2-的满壳层的分子轨道迁移的结果,属于电荷迁移(CT)发光.

大尺寸优质声光晶体TeO2的生长

储耀卿;葛增伟;吴国庆;殷学技;唐林耀

2004, 33(5): 810-812.

摘要 ( 45 )

PDF (152KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

采用坩埚下降法生长了二氧化碲(TeO2)声光晶体,从原料角度分析了散射、云雾状云层等缺陷的形成,研究了晶体开裂和晶体结构的关系,从而确定了晶体生长最佳工艺条件为:生长速率<0.6mm/h,固液界面的温度梯度约为45°C/cm,沿<110>方向生长可减少开裂.获得了尺寸大于55×55×120mm3的优质TeO2晶体,并测试了晶体的性能.

上转换激光晶体研究进展

单秉锐;邹玉林;刘燕行;臧竞存

2004, 33(5): 813-816.

摘要 ( 24 )

PDF (194KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

本文综述近年来晶体材料的上转换过程研究进展,介绍了上转换发光晶体材料研究中的一些新动向以及在室温环境下,掺杂稀土离子的晶体上转换激光运转的成功经验,列举了几种室温上转换激光器的泵浦条件、发射波长、以及转换效率等参数,说明晶体材料的上转换激光技术已趋于实用化.

0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜的MOSD+Dipping制备

王卓;杨长红;王民;房昌水

2004, 33(5): 817-819.

摘要 ( 28 )

PDF (130KB) ( 25 )

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采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能.

钨酸铅(PbWO4)晶体的研究概况

罗丽明;陶德节;王英俭

2004, 33(5): 820-825.

摘要 ( 21 )

PDF (217KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

本文概要介绍了近年来国内外钨酸铅晶体的研究进展,包括它的晶体结构、常见缺陷、发光机制及掺杂改性等,着重阐述了着色机制和掺杂改性,并介绍了几种具有代表性的关于该晶体发光机制的观点.

Nd:NaY(WO4)2激光晶体光谱性能研究

朱忠丽;葛建军;张建军;曾繁明;万玉春;刘景和

2004, 33(5): 826-829.

摘要 ( 30 )

PDF (155KB) ( 33 )

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Nd:NaY(WO4)2 是一种性能优良的激光晶体.本文采用提拉法生长了Nd:NaY(WO4)2晶体,测试了该晶体的吸收光谱和光荧光光谱.结果表明,该晶体在804nm、752nm、586nm附近有较强、较宽的吸收峰,适合于LD泵浦.从光荧光光谱得到发射波长分别为1064nm和1350nm,并计算了晶体的吸收截面和发射截面.

化学气相沉积法制备平直多壁碳纳米管的研究

曾效舒;周泽化;罗福祥;李碧珍

2004, 33(5): 830-834.

摘要 ( 27 )

PDF (167KB) ( 33 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了用焦炭还原二氧化碳后的一氧化碳作碳源,化学气相沉积法合成平直的多壁碳纳米管的工艺.研究表明在化学气相沉积条件下,用焦炭还原二氧化碳得到的一氧化碳在适当的铁基催化剂作用下,采用催化剂/碳原子共沉积的工艺可以生产出平直、并且内径很大的多壁碳纳米管.碳源中催化剂的浓度影响着纳米管的形成,而沉积温度对其没有影响.

紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响

宇慧平;隋允康;张峰翊;常新安;安国平

2004, 33(5): 835-840.

摘要 ( 30 )

PDF (235KB) ( 34 )

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本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降.晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长.

CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

薛玉明;孙云;李凤岩;朴英美;刘维一;周志强;李长健

2004, 33(5): 841-844.

摘要 ( 37 )

PDF (133KB) ( 38 )

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本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

新型单晶薄膜InP太阳电池的光谱响应

李果华;孙艳宁;Woodall J M;严辉;Freeouf J L

2004, 33(5): 845-847.

摘要 ( 35 )

PDF (105KB) ( 22 )

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为使通信卫星能够正常工作于所谓Van Allen辐射带,必须发展一种具有强抗辐射能力的太阳电池.本文设计研究外延了漂移机制单晶薄膜InP太阳电池,测量了其光谱响应,结果表明该电池在325nm到632nm之间有高于50;的内量子效率,在253nm也有较好的响应.有望获得高效率的应用于AM0条件的InP太阳电池.此外,实验结果还表明该设计可以应用于短波光探测器.

固态材料形成过程中的晶体生长机理探讨

钟志勇

2004, 33(5): 848-856.

摘要 ( 31 )

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同样由熔体凝固、溶液沉淀或者气相沉积出来,为什么有的材料呈晶相,有的呈非晶相? 晶体生长是由自组装形成的还是由外界条件决定的?是哪项因素决定了晶体生长时原子的有序排列?本文根据实际现象,用晶体生长的热力学理论分析了逆向离子解离对晶体成核及生长的作用机理,并对固态材料的形成与晶体成核生长之间的关系也作了进一步的阐述和分析,由此得出结论认为,由化学键结合的材料在晶体生长时必须伴随着逆向离子解离平衡,正是固态材料形成过程中的逆向离子解离过程,如同时伴随着电离的溶解、熔化及升华过程,决定了晶体生长时原子的有序排列.

SrTiO3铁电体反铁畸变序参量的研究

蔡玉平;韩代朝;宁如云

2004, 33(5): 857-859.

摘要 ( 17 )

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钛酸锶(SrTiO3)的反铁畸变是氧八面体绕[001]轴转过一微小角度θ引起的,由于前人对相变中晶体学原胞的选取不合适,所以不能正确说明晶体结构对称性的变化.本文提出一种晶体学原胞的选取方法,能很好地反映相变前后对称性的变化.由居里原理,分析其序参量是一个三阶全对称的极张量,并给出具体的数学形式.

CVT法生长GaP多晶

王向阳;何莉;田鸿昌;东艳萍;蔡以超

2004, 33(5): 860-862.

摘要 ( 31 )

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阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98;,红外透过率达到30;,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

液相法合成α-Fe2O3微粒及其成因分析

刘辉;张兆志;魏雨;孙予罕

2004, 33(5): 863-867.

摘要 ( 25 )

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本文研究了在沸腾回流条件下不同初始pH时由Fe(OH)3相转化为α-Fe2O3微粒的形成过程,结果表明:当pH低于4时,相转化过程需几十个小时方能完成,生成的α-Fe2O3的微粒尺寸分布较宽;而当pH为4～5左右时,相转化过程在几个小时内就可完成,生成的α-Fe2O3的微粒尺寸减小且分布范围较窄;当pH大于5以后,随着pH的升高,相转化时间又会延长.利用相关的热力学数据对上述结果产生的原因进行了分析并探讨了各种因素对制备均匀超细α-Fe2O3的微粒的影响.

一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

秦连杰;姜付义;孟宪林;徐惠忠;侯学元;祝俐;刘均海

2004, 33(5): 868-870.

摘要 ( 30 )

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Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.

沉淀法制备纳米ZrO2粉末过程中团聚体形成与控制的研究

杨凯;周焕忠;刘琪;顾幸勇

2004, 33(5): 871-875.

摘要 ( 20 )

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依据沉淀过程的动力学分析,研究了沉淀法制备纳米ZrO2粉末团聚体的形成机理及控制技术.实验结果表明:在沉淀反映过程中,当晶粒聚集形成胶粒的初始聚集过程成为控制过程时,粉末的团聚体形成于沉淀反映过程;当胶粒聚集形成三维网络状更大聚集体的二次聚集过程成为控制过程时,团聚体形成于干燥煅烧过程.沉淀过程中,同时引入合适的胶体保护剂和络合剂可以控制初始和二次聚集过程,从根本上控制了胶粒的聚集特征,因而控制了粉末的团聚状态.

大尺寸钛宝石晶体CPA超短超强激光输出突破100太瓦

徐军;司继良;李红军;周国清;杭寅;邓佩珍;梁晓燕;冷雨欣;陆海鹤;林礼煌;李儒新;徐至展

2004, 33(5): 876-876.

摘要 ( 24 )

PDF (80KB) ( 21 )

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