用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 712-716.

用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

蒲红斌;陈治明;李留臣;封先锋;张群社;沃立民;黄媛媛

西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(6037601);西安理工大学校科研和教改项目

Analysis and Design of Temperature Field of SiCGe Alloy Growth by Hot-wall Chemical Vapor Deposition on SiC Substrates

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.

中图分类号:

TP15

蒲红斌;陈治明;李留臣;封先锋;张群社;沃立民;黄媛媛. 用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 712-716.

[1]	安涛;高勇;刘飞航;顾林晴. 单晶炉横向磁场的优化设计与实现[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 259-264.
[2]	安涛;高勇;马剑平;李守智;李留臣. 单晶炉勾形磁场的优化设计与分析[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 292-296.

用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计

Analysis and Design of Temperature Field of SiCGe Alloy Growth by Hot-wall Chemical Vapor Deposition on SiC Substrates

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