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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 731-735.

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High-k材料研究进展与存在的问题

杨雪娜;王弘;张寅;姚伟峰;尚淑霞;周静涛;刘延辉   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学环境与工程科学学院,济南,250100
  • 出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点实验室基金(04010125)

The Progress and Problems of High-k Materials

  • Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.

关键词: High-k材料;MOSFET;栅介质;薄膜

中图分类号: