热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 776-780.

热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

骆英民;马剑刚;徐海阳;刘益春;钟殿强;齐秀英

东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130022

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60176003)

Effect of Thermal Annealing on the Optical and Electrical Properties of ZnO:Al Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.

中图分类号:

TN304

骆英民;马剑刚;徐海阳;刘益春;钟殿强;齐秀英. 热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 776-780.

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热退火对电子束蒸镀方法制备的ZnO:Al薄膜光电性质的影响

Effect of Thermal Annealing on the Optical and Electrical Properties of ZnO:Al Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation

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