重掺硅衬底片的内吸除效应

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 781-783.

重掺硅衬底片的内吸除效应

张红娣;郝秋艳;张建峰;张建强;李养贤;刘彩池

河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60076001);河北省自然科学基金(500025);河北省博士科研项目(502061);天津市自然科学基金(043602511)

Intrinsic Gettering Effect in Heavily Doped CZSi Wafers

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.

中图分类号:

TN304.1

张红娣;郝秋艳;张建峰;张建强;李养贤;刘彩池. 重掺硅衬底片的内吸除效应[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 781-783.

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重掺硅衬底片的内吸除效应

Intrinsic Gettering Effect in Heavily Doped CZSi Wafers

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