硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 784-787.

硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究

李晓苇;刘荣鹃;江晓利;陆晓东;赖伟东;杨少鹏;傅广生

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部科学技术研究项目(01011);河北省自然科学基金(103097)

Study of the Photoelectron Decay Behavior in Sulfur-sensitized AgBrCl Cubic Microcrystal

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱.分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件.

中图分类号:

O731

李晓苇;刘荣鹃;江晓利;陆晓东;赖伟东;杨少鹏;傅广生. 硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 784-787.

[1]	兰飞飞, 刘莎莎, 房诗舒, 王英民, 程红娟. 金刚石基GaN界面热阻控制研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(6): 913-921.
[2]	周振翔, 陈宁, 李丹, 石爽爽, 倪代秦, 陈建荣, 黄存新, 李荣臻, 魏华阳. 物理气相传输法合成AlN单晶性能表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(12): 2196-2202.
[3]	石自彬;李和新;龙勇;丁雨憧. 大尺寸Y方向钽酸镓镧压电晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1044-1047.
[4]	蔡莉莉;冯翠菊. Mg掺杂浓度对GaN电子结构和光学性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(1): 108-112.
[5]	姜威;刘廷禹;孙颖;孙羽. LaBr3晶体本征点缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2074-2078.
[6]	徐青松;方云团;周骏. 基于旋磁材料一维光子晶体单向传输[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 1131-1137.
[7]	刘航;介万奇;徐亚东;杨睿. In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1023-1028.
[8]	孙保民;曹为华;郭永红;王阳. 火焰热解法生长定向碳纳米管[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1773-1778.
[9]	舒海生;董立强;李世丹;刘伟;林航. 布拉格型声子晶体弦的横向振动带隙研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(9): 1918-1923.
[10]	冯孝燕;王琤;赵波;徐芳华;高杰. 交变磁场中硅熔液的电磁力有限元分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1702-1706.
[11]	黄育红;介万奇;徐凌燕;骆娟宁. ZnS(Se,Te)的电子、弹性和光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1046-1053.
[12]	翟小林;王英龙;丁学成;邓泽超;褚立志;傅广生. 混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 670-674.
[13]	张小超;樊彩梅;丁永波;梁镇海;韩培德. Al-N共掺杂ZnO的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1518-1523.
[14]	应杏娟;张兴德;郝志武. 第一性原理研究氧化锌晶体的电子结构和光学性质[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 784-788.
[15]	刘峰松;顾牡;张睿. 钨酸铋钠晶体电子结构的理论模拟[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 7-11.

硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究

Study of the Photoelectron Decay Behavior in Sulfur-sensitized AgBrCl Cubic Microcrystal

PDF (PC)

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价