掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 792-796.

掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

张维连;牛新环;吕海涛;张恩怀;孙军生

河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130

出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(500016);国家自然科学基金(59772037)

Characteristic of FTIR Absorption Spectrum of Ge-doped CZSi

Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1;(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同.但随着掺入晶体中锗浓度的增加, 红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰.锗浓度越高,此峰越明显.该峰可能是由于Ge-C或Si-Ge-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰.

中图分类号:

TN305.2

张维连;牛新环;吕海涛;张恩怀;孙军生. 掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 792-796.

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掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性

Characteristic of FTIR Absorption Spectrum of Ge-doped CZSi

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