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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 860-862.

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CVT法生长GaP多晶

王向阳;何莉;田鸿昌;东艳萍;蔡以超   

  1. 人工晶体研究院,北京,100018
  • 出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20

Polycrystalline GaP Growth by CVT Method

  • Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98;,红外透过率达到30;,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

关键词: CVT(化学气相输运);GaP多晶;红外窗口材料

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