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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (5): 868-870.

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一族Nd:YxGd1-xVO4混晶性质比较及其调Q性能研究

秦连杰;姜付义;孟宪林;徐惠忠;侯学元;祝俐;刘均海   

  1. 烟台大学环境与材料工程学院,烟台,264005;山东大学,济南,250100
  • 出版日期:2004-10-15 发布日期:2021-01-20

Comparisons on the Properties of a Class of Nd:YxGd1-xVO4 Mixed Crystals and Its Q-switching Laser

  • Online:2004-10-15 Published:2021-01-20

摘要: Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.

关键词: Nd:YxGd1-xVO4混晶;晶体生长;性质;激光;调Q

中图分类号: