高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (6): 918-921.

高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

董捷;胡小波;徐现刚;王继扬;韩荣江;李现祥

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2004-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60025409);国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA311080)

Investigation on the Polytype Structure of SiC Crystal Slice by High Resolution X-ray Diffractometry

Online:2004-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两相或三相共存区,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征.根据多型结构,可以对摇摆曲线中的衍射峰进行鉴定.

中图分类号:

O722

董捷;胡小波;徐现刚;王继扬;韩荣江;李现祥. 高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(6): 918-921.

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高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

Investigation on the Polytype Structure of SiC Crystal Slice by High Resolution X-ray Diffractometry

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