人工晶体学报

韩荣江;王继扬;徐现刚;胡小波;董捷;李现祥;李娟;姜守振;王丽;蒋民华

2004, 33(6): 877-881.

摘要 ( 36 )

PDF (277KB) ( 54 )

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利用显微激光拉曼光谱法对掺氮6H-SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别,结果表明其中有4H-SiC和15R-SiC两种寄生多型体.不同SiC多型体的纵光学声子与等离子体激元的耦合模(LOPC模)表明:在掺氮6H-SiC单晶的生长条件下,6H-SiC的掺氮效应与4H-SiC存在明显差别,而与15R-SiC的掺氮效应相似.

温梯法白宝石晶体的表面形貌研究

彭观良;周圣明;周国清;李抒智;王银珍;邹军;苏凤莲;刘世良;徐军

2004, 33(6): 882-886.

摘要 ( 20 )

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本文采用导向温梯法(TGT)生长[0001]方向的白宝石晶体,利用气相传输平衡(VTE)技术对晶体表面进行处理,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂(Li2O蒸气)气氛发生反应,表面生成一层γ-LiAlO2,随着VTE反应温度从750℃下降到730℃,γ-LiAlO2晶核的颗粒也随着减小,在730℃时已在1μm以下,经稀盐酸(HCl)腐蚀后形成多孔的表面,此方法有望制备出用于外延GaN的多孔衬底.

Yb:KGW激光晶体原料制备与单晶生长

王英伟;程灏波;刘景和

2004, 33(6): 887-891.

摘要 ( 30 )

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Yb:KGW晶体在可调谐微片激光器中有重要的应用价值.本文研究了Yb:KGW多晶粉料的合成温度及烧结时间,确定在900℃经12h烧结合成Yb:KGW多晶粉料.通过对K2WO4和K2W2O7两种助溶剂性能及生长温度曲线的对比分析,选择K2W2O7作助溶剂,设计合理的工艺参数,采用熔盐法生长了新型的稀土激光晶体Yb:KGW.对晶体粉末进行XRD图谱测试,判定所生长的晶体为β-Yb:KGW,经TG-DTA分析,确定其熔点为1086℃,相变温度为1021℃.

纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响

张晓丹;赵颖;朱锋;魏长春;高艳涛;孙建;侯国付;薛俊明;张德坤;任慧志;耿新华;熊绍珍

2004, 33(6): 892-897.

摘要 ( 17 )

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相关文章 | 计量指标

本文采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响.电学特性和结构特性测试结果表明:在10W的功率条件下,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料;在30W时,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大,光敏性也相应的降低,50W的条件表现出相类似的结果,初步分析是氧引起的差别;激活能的测试结果也表明,使用纯化器会降低材料中的氧含量,即表现激活能相对大;另外,沉积速率的测试结果也给出:耗尽区所在位置与是否使用纯化器有很大关系.

脂质体中生物矿化的研究进展

欧阳健明;周娜

2004, 33(6): 898-904.

摘要 ( 39 )

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生物矿化是指在有机体内形成矿物的过程.以脂质体作为模板,不仅可以模拟生物矿化过程中有机基质的调控作用和生物大分子的指导作用,而且可以提供生物矿化所需的特殊隔室,使反应物富集、定位,催化矿化反应的发生.本文综述了近年来在脂质体中模拟生物矿物磷酸钙、碳酸钙和草酸钙等矿化的研究进展,并讨论了膜控制晶体生长的机理.

Nd:NaY(WO4)2晶体生长与开裂研究

李建立;关效贤;葛建军;张建军;万玉春;曾繁名;张亮;刘景和

2004, 33(6): 905-908.

摘要 ( 32 )

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本论文采用提拉法(CZ)生长了尺寸为φ15mm×20mm的Nd:NaY(WO4)2晶体,并从理论上讨论了温度梯度、提拉速度、晶体转速和晶体尺寸等工艺参数以及热应变等因素对晶体开裂的影响,给出了生长Nd:NaY(WO4)2晶体的最佳工艺参数.

固体氧化物燃料电池密封材料的研究进展

朴金花;孙克宁;张乃庆;周德瑞;华军

2004, 33(6): 909-912.

摘要 ( 28 )

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本文对固体氧化物燃料电池(SOFC)密封材料的研究进展作了介绍,分别对硅酸盐体系、硼酸盐体系、磷酸盐体系以及云母玻璃密封材料的研究进展情况给予阐述,对每种密封材料的特点和存在的问题进行了详细的论述,并指出通过控制玻璃的析出行为制备微晶玻璃密封材料是今后SOFC密封材料的主要研究方向.

SiCN薄膜在Si衬底上的沉积

程文娟;张阳;江锦春;朱鹤孙

2004, 33(6): 913-917.

摘要 ( 27 )

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本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯CH4和N2,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒.用场发射扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对样品进行了表征与分析.结果表明,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2有助于提高样品的成膜质量.所得到SiCN样品是新型的六方结构三元化合物.

高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构

董捷;胡小波;徐现刚;王继扬;韩荣江;李现祥

2004, 33(6): 918-921.

摘要 ( 34 )

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我们采用高分辨X射线衍射法对SiC单晶片中的多型结构进行了研究,研究发现在以4H-SiC为籽晶的晶体生长过程中,4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC出现两相共存或三相共存现象.在单相、两相或三相共存区,X射线摇摆曲线具有明显不同的特征.根据多型结构,可以对摇摆曲线中的衍射峰进行鉴定.

γ-LiAlO2晶体的退火研究

邹军;彭观良;陈俊华;钱晓波;李抒智;杨卫桥;周国清;徐军;周圣明

2004, 33(6): 922-925.

摘要 ( 18 )

PDF (316KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.

水热法合成六角片状Co9S8晶体

张元广;郭范;万松明;郑伟威

2004, 33(6): 926-929.

摘要 ( 62 )

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本文以七水合硫酸亚钴(CoSO4·7H2O)和无水亚硫酸钠(Na2SO3)为原料,以水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,利用水热法合成了立方晶系的六角片状Co9S8单晶.运用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM)对产物进行了表征.结果表明,产物主要由直径为0.8～1.5μm六角片状Co9S8单晶组成,合成单晶的温度为180℃,时间为72h.在室温下,产物的饱和磁化率(Ms)和矫顽力(Hc)分别为65emu/g和333 Oe.

微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜

江锦春;程文娟;张阳;朱鹤孙;沈德忠

2004, 33(6): 930-934.

摘要 ( 23 )

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利用微波等离子体化学气相沉积系统,以甲烷、氮气和氢气作为气源,在Si(100)衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较.用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜,可以看出晶型完整,结构致密,结晶质量较好.X射线能谱证明了碳氮是以C-N和C=N共价键的形式存在,氮碳元素的原子比均为1.3.X射线衍射确定出在衬底温度为900410℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相(面间距d=0.4002nm),而在950±10℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相(面间距d=0.3984nm).喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α-C3N4,β-C3N4相.

硼酸锶钡(Ba0.87Sr3.13B14O25)晶体的生长、结构和性质研究

孙同庆;潘峰;王晓青;沈光球;沈德忠

2004, 33(6): 935-939.

摘要 ( 37 )

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本文报道了一种新的硼酸盐化合物-Ba0.87Sr3.13B14O25,采用泡生法已生长出尺寸为35mm×25mm×5mm的晶体.该晶体为单斜晶系,C2/m空间群,a=1.6425(3)nr,b=0.77739(16)nm,c=1.6665(3)nm,β=119.22(3)°,Z=4.结构中B3O8六元环通过O原子和BO3三角形相互连接,构成三维的硼氧阴离子骨架,金属阳离子占据多面体间的空隙.测量了BSBO晶体的透过谱,该晶体的显微硬度为578kg/mm2.

BGO晶体的缺陷与性能-(1)缺陷及其形成

姚冬敏;齐雪君;宋桂兰;袁兰英;仲维卓

2004, 33(6): 940-944.

摘要 ( 37 )

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下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的宏观缺陷.用光学显微镜和电子探针对宏观缺陷内的包裹体进行研究发现:包裹体大部分为固态包裹物;不同宏观缺陷内的包裹体,其形状、大小和成份都具有典型特征.本文就包裹体的性质及其形成进行了初步的分析和讨论.

3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析

封先锋;陈治明;马剑平;蒲红斌;李留臣

2004, 33(6): 945-949.

摘要 ( 61 )

PDF (337KB) ( 47 )

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3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析,结果表明所制备的样品为3C-SiC单晶体.

二苯甲酮晶体的生长习性预测和实验研究

王文礼;黄卫东;王猛;魏雷

2004, 33(6): 950-954.

摘要 ( 25 )

PDF (277KB) ( 25 )

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从生长速度恒定的三维晶体几何学模型出发,计算出二苯甲酮晶体理想外形中各个晶面消失所需的最大临界生长速率,由此预测了各个晶面在晶习中消失的先后顺序.利用过冷熔体法在不同的过冷度条件下生长了二苯甲酮单晶,将单晶的实际生长习性进行比较,发现理论预测结果与实际生长习性变化比较吻合.

BGO熔体急冷自发结晶形貌

宋桂兰;姚冬敏;齐雪君;袁兰英;仲维卓

2004, 33(6): 955-959.

摘要 ( 30 )

PDF (440KB) ( 155 )

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本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌.在急冷的条件下,组成BGO的各个面族自由发育.{321}面族、{211}面族和{111}面族都是按[GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的,生长速度快,优先显露,在熔体急冷时保留下来.表面形貌显露不完整的{100}面族是[GeO4]4-四面体以棱相连所对应的面族,生长速度较慢,尚未显露完全熔体就已冷却.从生长速度考虑,在实际生长晶体时以[321]、[211]、[111]方向生长可以获得较快的速度.

微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究

张晓丹;赵颖;朱锋;魏长春;吴春亚;高艳涛;孙建;侯国付;耿新华;熊绍珍

2004, 33(6): 960-964.

摘要 ( 28 )

PDF (321KB) ( 25 )

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本文研究了采用VHF-PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀,随厚度的增加,材料的晶化率逐渐变大;不同衬底其非晶孵化点是不一样的,对于同一种衬底,绒度大相应的晶化率就大,对应着孵化层的厚度小;AFM测试结果明显的给出:材料的结构随厚度增加发生变化.

液相沉淀法制备硫氰酸亚铜纳米颗粒

杨惠芳;肖凤娟;顾业强;彭政;米镇涛

2004, 33(6): 965-968.

摘要 ( 17 )

PDF (215KB) ( 26 )

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以无机盐CuSO4为原料,Na2SO3做还原剂,NaSCN为沉淀剂,采用液相沉淀法制备了CuSCN纳米颗粒,制备的CuSCN产品粒度在70～90nm左右,产品粒度较均匀.文章探讨了各种制备条件对产物粒度的影响.

硬质合金表面去钴和脱碳对金刚石薄膜粘结性能的影响

孙心瑗;周灵平;林良武;李德意;李绍禄

2004, 33(6): 969-973.

摘要 ( 28 )

PDF (385KB) ( 25 )

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金刚石涂层的粘结性能是影响CVD金刚石薄膜涂层刀具使用寿命的关键因素.本文分别对硬质合金(YG6)表面进行酸蚀去钴和原位脱碳两种不同的预处理后,在热丝CVD系统中沉积金刚石薄膜,运用压痕试验评价金刚石薄膜与硬质合金基体的粘结性能.结果表明,经过原位脱碳预处理的硬质合金表面上金刚石涂层的粘结性能比酸蚀去钴法提高了近一倍;同时分析了硬质合金表面酸蚀去钴对金刚石薄膜粘结性能的影响及其剥离机制,并讨论了硬质合金表面原位脱碳的化学机制.

纳米结构TiN薄膜的制备与性能研究

闫鹏勋;吴志国;徐建伟;张玉娟;李鑫;张伟伟

2004, 33(6): 974-977.

摘要 ( 24 )

PDF (282KB) ( 27 )

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利用自行研制的磁过滤等离子体设备,在室温条件下的不锈钢基底上成功地制备了性能良好的纳米结构TiN薄膜.运用原子力显微镜和X射线衍射仪对其结构和形貌进行了表征.利用纳米硬度仪测量了TiN薄膜的硬度和弹性模量.结果显示:沉积的TiN薄膜表面非常平整光滑,致密而无缺陷;硬度远高于粗晶TiN的硬度;TiN晶粒尺寸在30～50nm;沉积过程中在基底上施加的负偏压会影响纳米结构TiN薄膜的结构和性能.

低温热解法制备非晶ZnO纳米粉末研究

张海明;崔艳;钟宏杰

2004, 33(6): 978-981.

摘要 ( 25 )

PDF (199KB) ( 23 )

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报导了一种简单而有效的制备非晶ZnO纳米粉末的方法,即固态低温热解法.并用透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射、X射线光电子能谱对所制得的粉末进行了表征.结果表明在160℃下灼烧乙酸锌和碳酸氢钠所得到的ZnO粉末是非晶态.PL谱表明非晶ZnO纳米粉末同样具有较强的紫外发射,其峰值波长为380nm,我们认为这是由于量子尺寸效应造成的.

一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量

王燕;于锡铃;殷绍唐

2004, 33(6): 982-986.

摘要 ( 24 )

PDF (277KB) ( 26 )

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本文采用激光全息相衬干涉显微术研究了有机非线性光学晶体一水甲酸锂晶体的生长,计算了晶体生长的界面过饱和度.我们的研究结果表明,晶体生长的界面过饱和度随体过饱和度的增加而非线性增加;不同晶面的界面过饱和度不同;当体过饱和度增加到一定程度时,不同晶面的界面过饱和度趋于相同.

γ-LiAlO2晶体生长挥发和腐蚀研究

邹军;彭观良;陈俊华;李抒智;杨卫桥;周国清;徐军;周圣明

2004, 33(6): 987-990.

摘要 ( 23 )

PDF (288KB) ( 19 )

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本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2多晶体,中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体,下部为钼金属颗粒,蓝宝石籽晶被严重污染;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的.

高温闪烁晶体GSO:Ce的生长及其光谱性质

介明印;赵广军;曾雄辉;何晓明;张连翰;夏长泰;徐军

2004, 33(6): 991-994.

摘要 ( 27 )

PDF (260KB) ( 35 )

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本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80;.

Cao.28Ba0.72Nb2O6单晶的光学常数及吸收特性

连洁;王青圃;程兴奎;王玉荣;张瑞峰;魏爱俭;姜军;张飒飒;仪修杰;陈焕矗;韩建儒

2004, 33(6): 995-998.

摘要 ( 16 )

PDF (219KB) ( 20 )

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山大晶体所采用提拉法生长出新晶体铌酸钙钡.本文通过分光光度计和椭偏光谱仪分别测得室温下铌酸钙钡的透射率和折射率随波长的变化关系.透射率光谱显示该晶体在波长大于380nm的可见光谱区是透明的.色散关系表明此材料的双折射较大,在短波区域寻常光及非常光的折射率之差约为0.12.此外,由透射率曲线计算了可见光范围内铌酸钙钡的吸收系数.从而得到吸收系数的平方根与光子能量的函数关系曲线.通过对该曲线的研究,发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁,计算出间接跃迁的禁带宽度Eg以及声子能量Ep.

硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究

秦来顺;陆晟;李焕英;史宏声;任国浩

2004, 33(6): 999-1003.

摘要 ( 28 )

PDF (417KB) ( 32 )

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本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体,讨论了晶体生长中遇到的问题,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷.开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的,其中热应力是导致开裂的主要因素,优化生长工艺条件可完全避免开裂.晶体中存在两种包裹物,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱,氧化镥很可能是未参加反应的原料,也有可能是氧化硅挥发而导致氧化镥析出.

LnX3型稀土卤化物闪烁晶体的闪烁性能

裴钰;任国浩

2004, 33(6): 1004-1010.

摘要 ( 29 )

PDF (406KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

本文简要综述了LnX3型稀土卤化物闪烁晶体的发展历史与研究现状,对几种常见晶体(CeF3,LaF3,LuCl3,LaCl3,LuBr3,LaBr3)的物理、化学性质、晶体生长及闪烁性能等进行详细总结归纳,同时指出了当前具有优异闪烁性能的LaCl3:Ce和LaBr3:Ce晶体亟待解决的问题、未来的发展方向及其广阔的应用前景.

三氯乙酸苯胺加合物的制备和晶体结构

陈伟;车云霞;郑吉民

2004, 33(6): 1011-1014.

摘要 ( 30 )

PDF (193KB) ( 22 )

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制备了具有非线性光学特性的标题加合物,以蒸发法培养出无色透明的、晶形完整的单晶,该晶体在1064nm的Nd3+:YAG调Q脉冲激光束照射下,产生绿色的532nm的倍频光,其倍频光强度约是KDP的3～4倍.以X射线衍射法测定了1:1加合物的晶体结构,晶体学数据为:单斜晶系,Pc空间群,a=0.60457(16)nm,b=1.0940(3)nm,c=0.8667(2)nm,β=104.045(4)°,V=0.5561(3)nm3,Z=2,Mr=256.50,Dc=1.532g/cm3,μ=0.797mm-1,F(000)=260,R1=0.0540,wR2=0.1325.三氯乙酸与苯胺之间存在着质子的转移,二者通过分子间氢键相连接形成稳定的三维氢键网络结构.

Nd:YVO4晶体a向生长研究

徐子颉;张国春;赵宗源

2004, 33(6): 1015-1017.

摘要 ( 39 )

PDF (186KB) ( 37 )

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采用固-液两相混合,使NdO3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发.讨论了a方向Nd:YVO4单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶.

影响半导体量子点生长因素的分析

杨红波;俞重远;刘玉敏;黄永箴

2004, 33(6): 1018-1021.

摘要 ( 24 )

PDF (260KB) ( 35 )

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生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键.本文在已有研究工作的基础上,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素,从原理上分析了控制量子点有序生长的可能性的几种方法.

反蛋白石结构光子晶体制备技术

林旭彬;赵玉周;李静;胡巧燕;江绍基;蔡志岗;李宝军

2004, 33(6): 1022-1030.

摘要 ( 35 )

PDF (772KB) ( 44 )

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光子晶体是一种具有光子带隙的新型材料,由于其可以控制和抑制光子运动的特性,在光通讯领域具有广阔的应用前景.反蛋白石结构是光子晶体一种重要的结构,由于其制备方法简便、成本低廉而受到人们的普遍关注.本文在介绍目前常用的几种制备光子晶体技术的基础上,详细阐述了制备反蛋白石结构光子晶体的各种技术和方法、以及利用这些制备技术和方法在反蛋白石结构光子晶体上制备一维和二维缺陷的最新进展.

化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取

徐晓冬

2004, 33(6): 1031-1034.

摘要 ( 26 )

PDF (304KB) ( 25 )

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单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素.本文通过对比实验的方法,就采用CMP(chemical mechanical polish)工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究,并通过AFM(atomicforce microscope)的最终检测结果给出具有说服力的结论.

晶体的超精密抛光

谢会东;王晓青;沈光球

2004, 33(6): 1035-1040.

摘要 ( 35 )

PDF (410KB) ( 87 )

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超光滑表面在现代科学技术中具有重要意义.超精密抛光技术是实现超光滑表面的主要方法.本文对超光滑表面的概念、影响超精密抛光质量的因素、几种超精密抛光方法及其所能达到的抛光效果、抛光效果的测量与评价方法等进行了介绍.同时描述了超精密抛光的发展阶段、现状和发展趋势.

人工晶体生长设备真空系统的优化设计

李留臣;陈治明;蒲红斌;封先锋;张群社

2004, 33(6): 1041-1043.

摘要 ( 30 )

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真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用,越来越被人们所重视.真空系统设计的好坏,直接影响着晶体生长设备的成功与否,而提高真空系统的密封性,降低真空系统的漏气率是提高真空性能的主要措施.本文简要阐述了提高真空系统的密封性和降低漏气率的一些措施,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等,提出了一种新型的静密封结构,从而提高了真空系统的密封性能.

金刚石薄膜在硬质合金基体上的生长及附着强度研究

黄树涛;姚英学;于宏;李剑锋;袁哲俊

2004, 33(6): 1044-1047.

摘要 ( 31 )

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硬质合金是制作金刚石薄膜涂层刀具的重要基体材料,金刚石薄膜在硬质合金基体上的成核、生长及界面特征直接影响其附着强度.本文通过扫描电镜、X射线衍射分析、X射线光电子谱(XPS)及断续切削实验,研究了硬质合金基体含Co量对金刚石薄膜成核、生长及附着强度的影响.研究结果表明,经酸洗处理后,硬质合金基体含Co量对金刚石薄膜成核、生长没有太大影响.但对其附着强度有很大影响.含Co量越高,附着强度越低.酸腐蚀去Co处理后基体表面变得疏松、不连续非金刚石碳界面的存在及热膨胀系数较大是含Co量较高时,附着强度下降的主要原因.

硬质合金基体上钛过渡层碳化条件对金刚石薄膜附着力的影响

王传新;汪建华;满卫东;马志斌;王升高;傅朝坤;李克林;康志成

2004, 33(6): 1048-1051.

摘要 ( 27 )

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以WC-6;Co为基体,采用磁控溅射法,在酸蚀后进行氢等离子体脱碳试样上制备Ti过渡层,然后碳化过渡层为TiC.在电子辅助热丝化学气相沉积装置中制备金刚石薄膜.研究碳化条件对金刚石薄膜与基体附着力的影响.结果表明,在700℃左右的低温碳化,TiC结构致密,而在850℃左右的高温碳化,TiC呈疏松的多孔组织,在CH4-Ar等离子体中碳化则850℃左右仍能获得致密的TiC层.在致密的过渡层上沉积的金刚石薄膜具有更高的附着力.

纳米金刚石薄膜的合成、表征及应用

朱利兵;唐元洪;林良武

2004, 33(6): 1052-1056.

摘要 ( 25 )

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纳米金刚石薄膜具有众多优异性能,在众多领域有广泛的应用.本文在详细介绍纳米金刚石薄膜合成的基础上,着重阐述了对纳米金刚石薄膜的表征,介绍了近边X射线的吸收光谱可有效地用于鉴别大面积纳米金刚石薄膜.

NiFe合金粉末触媒合成金刚石研究

戴兰芳;魏琼琳

2004, 33(6): 1057-1059.

摘要 ( 39 )

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本文介绍了人工合成金刚石的一种新方法.研究中采用NiFe合金粉末作为原料,并对NiFe合金粉末坯块进行活化处理,在超高压、高温的条件下,做为触媒材料经一定的工艺流程合成了金刚石.结果表明,这种触媒材料采用这种新方法所合成的金刚石产品具有其明显的特征,可显著提高金刚石的粗粒度百分比且粒度集中,金刚石样品质量高,金刚石的颜色黄且单产高.

CVD金刚石薄膜涂层衬底预处理方法

方莉俐

2004, 33(6): 1060-1064.

摘要 ( 36 )

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概述了CVD金刚石薄膜涂层衬底预处理的基本方法,并对一些主要方法作了评述.对于硬质合金类衬底预处理、铜衬底表面预处理、钢铁衬底表面预处理、硅表面预处理,提高膜基结合力的途径除有研磨、超声清洗、植晶、化学腐蚀、等离子体刻蚀、沉积中间过渡层等方法外,还有优化衬底形状、通过表面扩散感应促进成核等手段.

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