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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (6): 930-934.

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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜

江锦春;程文娟;张阳;朱鹤孙;沈德忠   

  1. 清华大学化学系,功能晶体与薄膜研究所,北京,100084
  • 出版日期:2004-12-15 发布日期:2021-01-20

Preparation of Crystalline Carbon Nitride Films by Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition

  • Online:2004-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用微波等离子体化学气相沉积系统,以甲烷、氮气和氢气作为气源,在Si(100)衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较.用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜,可以看出晶型完整,结构致密,结晶质量较好.X射线能谱证明了碳氮是以C-N和C=N共价键的形式存在,氮碳元素的原子比均为1.3.X射线衍射确定出在衬底温度为900410℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相(面间距d=0.4002nm),而在950±10℃时薄膜样品的主要晶相成份是α-C3N4,β-C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相(面间距d=0.3984nm).喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α-C3N4,β-C3N4相.

关键词: C3N4晶体;微波等离子体化学汽相沉积;薄膜

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