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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (6): 945-949.
封先锋;陈治明;马剑平;蒲红斌;李留臣
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RSS出版日期:2004-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:
Online:2004-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 3C-SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料.本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长3C-SiC及抑制其相变的研究进展.采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析,结果表明所制备的样品为3C-SiC单晶体.
中图分类号:
封先锋;陈治明;马剑平;蒲红斌;李留臣. 3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(6): 945-949.
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