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人工晶体学报 ›› 2004, Vol. 33 ›› Issue (6): 991-994.

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高温闪烁晶体GSO:Ce的生长及其光谱性质

介明印;赵广军;曾雄辉;何晓明;张连翰;夏长泰;徐军   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2004-12-15 发布日期:2021-01-20

High-temperature Growth and Spectra Characteristics of GSO:Ce Crystal

  • Online:2004-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80;.

关键词: 硅酸钆晶体;闪烁晶体;提拉法生长;开裂;荧光光谱

中图分类号: