ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 116-119.

ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

董国义;窦军红;张蕾;韦志仁;葛世艳;郑一博;林琳;田少华

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;中央司法警官学院,保定,071000

出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(E2004000117,F2004000130)

Effect of Shallow Electron Traps on the Decay Process of Photoelectron in ZnS Crystals

DONG Guo-yi;DOU Jun-hong;ZHANG Lei;WEI Zhi-Ren;GE Shi-yan;ZHENG Yi-bo;LIN lin;TIAN Shao-hua

Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.

中图分类号:

O734

董国义;窦军红;张蕾;韦志仁;葛世艳;郑一博;林琳;田少华. ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(1): 116-119.

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