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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (1): 178-182.

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多孔硅形成机理的逆结晶学模型

王海燕;卢景霄;郜晓勇;孙晓峰;段启亮   

  1. 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
  • 出版日期:2005-02-15 发布日期:2021-01-20

A Novel Inverse Crystal Growth Model of Porous Polysilicon Formation Process

WANG Hai-yan;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;SUN Xiao-feng;DUAN Qi-liang   

  • Online:2005-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文概述了多孔硅形成机理和现有模型.通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型.这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制.此模型的提出对研究晶体生长有用.

关键词: 自选择性;对称性;逆结晶学;缺陷控制;扩散控制

中图分类号: